Datasheet > 存储 > 闪存> M29W320DB90ZA6E

M29W320DB90ZA6E

更新时间： 2024-11-05 05:23:35

品牌	Logo	应用领域
恒忆 - NUMONYX		闪存存储内存集成电路
页数	文件大小	规格书
56页	1058K
描述
32 Mbit (4Mbx8 or 2Mbx16, Non-uniform Parameter Blocks, Boot Block), 3V Supply Flash memory

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

M29W320DB90ZA6E 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	BGA
包装说明：	7 X 11 MM, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TFBGA-63	针数：	63
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A991.B.1.A
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.14
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	90 ns
其他特性：	BOTTOM BOOT BLOCK	备用内存宽度：	8
启动块：	BOTTOM	JESD-30 代码：	R-PBGA-B63
JESD-609代码：	e1	长度：	11 mm
内存密度：	33554432 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	16	功能数量：	1
端子数量：	63	字数：	2097152 words
字数代码：	2000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	2MX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TFBGA	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	编程电压：	3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	TIN SILVER COPPER	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	类型：	NOR TYPE
宽度：	7 mm	Base Number Matches：	1

M29W320DB90ZA6E 数据手册

M29W320DT

M29W320DB

32 Mbit (4Mbx8 or 2Mbx16, Non-uniform Parameter Blocks,

Boot Block), 3V Supply Flash memory

Feature summary

■ Supply Voltage

– V = 2.7V to 3.6V for Program, Erase and

Read

– V =12V for Fast Program (optional)

■ Access time: 70, 90ns

■ Programming time

– 10µs per Byte/Word typical

TSOP48 (N)

12 x 20mm

■ 67 memory blocks

– 1 Boot Block (Top or Bottom Location)

– 2 Parameter and 64 Main Blocks

FBGA

■ Program/Erase controller

– Embedded Byte/Word Program algorithms

TFBGA48 (ZE)

■ Erase Suspend and Resume modes

– Read and Program another Block during

Erase Suspend

■ Unlock Bypass Program command

– Faster Production/Batch Programming

■ V /WP pin for Fast Program and Write Protect

■ Temporary Block Unprotection mode

■ Common Flash Interface

– 64 bit Security code

■ Low power consumption

– Standby and Automatic Standby

■ 100,000 Program/Erase cycles per block

■ Electronic Signature

– Manufacturer Code: 0020h

– Top Device Code M29W320DT: 22CAh

– Bottom Device Code M29W320DB: 22CBh

■ ECOPACK packages available

March 2008

Rev 10

1/56

www.numonyx.com

12 3 4 5 6 7...56

中文翻译

下载PDF

与M29W320DB90ZA6E相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
M29W320DB90ZA6F	STMICROELECTRONICS	获取价格	32 Mbit 4Mb x8 or 2Mb x16, Boot Block 3V Supply Flash Memory
M29W320DB90ZA6F	NUMONYX	获取价格	32 Mbit (4Mbx8 or 2Mbx16, Non-uniform Parameter Blocks, Boot Block), 3V Supply Flash memor
M29W320DB90ZA6T	NUMONYX	获取价格	32 Mbit (4Mbx8 or 2Mbx16, Non-uniform Parameter Blocks, Boot Block), 3V Supply Flash memor
M29W320DB90ZA6T	STMICROELECTRONICS	获取价格	32 Mbit 4Mb x8 or 2Mb x16, Boot Block 3V Supply Flash Memory
M29W320DB90ZE1	STMICROELECTRONICS	获取价格	32 Mbit 4Mb x8 or 2Mb x16, Boot Block 3V Supply Flash Memory
M29W320DB90ZE1	NUMONYX	获取价格	32 Mbit (4Mbx8 or 2Mbx16, Non-uniform Parameter Blocks, Boot Block), 3V Supply Flash memor
M29W320DB90ZE1E	NUMONYX	获取价格	32 Mbit (4Mbx8 or 2Mbx16, Non-uniform Parameter Blocks, Boot Block), 3V Supply Flash memor
M29W320DB90ZE1E	STMICROELECTRONICS	获取价格	32 Mbit 4Mb x8 or 2Mb x16, Boot Block 3V Supply Flash Memory
M29W320DB90ZE1F	STMICROELECTRONICS	获取价格	32 Mbit 4Mb x8 or 2Mb x16, Boot Block 3V Supply Flash Memory
M29W320DB90ZE1F	NUMONYX	获取价格	32 Mbit (4Mbx8 or 2Mbx16, Non-uniform Parameter Blocks, Boot Block), 3V Supply Flash memor

与M29W320DB90ZA6E相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

13
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

9
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

35
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

31

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

M29W320DB90ZA6E

M29W320DB90ZA6E 技术参数

M29W320DB90ZA6E 数据手册

与M29W320DB90ZA6E相关器件

与M29W320DB90ZA6E相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

M29W320DB90ZA6E

M29W320DB90ZA6E 技术参数

M29W320DB90ZA6E 数据手册

与M29W320DB90ZA6E相关器件

与M29W320DB90ZA6E相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？