Datasheet > 存储 > 闪存> M29W320DB70ZA6T

M29W320DB70ZA6T

更新时间： 2024-01-24 23:38:16

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		闪存存储内存集成电路
页数	文件大小	规格书
46页	853K
描述
32 Mbit 4Mb x8 or 2Mb x16, Boot Block 3V Supply Flash Memory

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

M29W320DB70ZA6T 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	BGA	包装说明：	7 X 11 MM, 0.80 MM PITCH, TFBGA-63
针数：	63	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	3A991.B.1.A	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.13	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	70 ns	其他特性：	BOTTOM BOOT BLOCK
备用内存宽度：	8	启动块：	BOTTOM
命令用户界面：	YES	通用闪存接口：	YES
数据轮询：	YES	JESD-30 代码：	R-PBGA-B63
JESD-609代码：	e0	长度：	11 mm
内存密度：	33554432 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	16	功能数量：	1
部门数/规模：	1,2,1,63	端子数量：	63
字数：	2097152 words	字数代码：	2000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	2MX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TFBGA
封装等效代码：	BGA63,8X12,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	3.3 V
编程电压：	3 V	认证状态：	Not Qualified
就绪/忙碌：	YES	座面最大高度：	1.2 mm
部门规模：	16K,8K,32K,64K	最大待机电流：	0.0001 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.02 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn63Pb37)	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	切换位：	YES
类型：	NOR TYPE	宽度：	7 mm
Base Number Matches：	1

M29W320DB70ZA6T 数据手册

M29W320DT

M29W320DB

32 Mbit (4Mb x8 or 2Mb x16, Boot Block)

3V Supply Flash Memory

FEATURES SUMMARY

■ SUPPLY VOLTAGE

Figure 1. Packages

– V = 2.7V to 3.6V for Program, Erase and

Read

– V =12V for Fast Program (optional)

■ ACCESS TIME: 70, 90ns

■ PROGRAMMING TIME

– 10µs per Byte/Word typical

TSOP48 (N)

12 x 20mm

■ 67 MEMORY BLOCKS

– 1 Boot Block (Top or Bottom Location)

– 2 Parameter and 64 Main Blocks

■ PROGRAM/ERASE CONTROLLER

– Embedded Byte/Word Program algorithms

■ ERASE SUSPEND and RESUME MODES

FBGA

TFBGA63 (ZA)

TFBGA48 (ZE)

– Read and Program another Block during

Erase Suspend

■ UNLOCK BYPASS PROGRAM COMMAND

– Faster Production/Batch Programming

■ V /WP PIN for FAST PROGRAM and WRITE

PROTECT

■ TEMPORARY BLOCK UNPROTECTION

MODE

■ COMMON FLASH INTERFACE

– 64 bit Security Code

■ LOW POWER CONSUMPTION

– Standby and Automatic Standby

■ 100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per

BLOCK

■ ELECTRONIC SIGNATURE

– Manufacturer Code: 0020h

– Top Device Code M29W320DT: 22CAh

– Bottom Device Code M29W320DB: 22CBh

August 2005

1/46

12 3 4 5 6 7...46

中文翻译

下载PDF

与M29W320DB70ZA6T相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
M29W320DB70ZE1	NUMONYX	获取价格	32 Mbit (4Mbx8 or 2Mbx16, Non-uniform Parameter Blocks, Boot Block), 3V Supply Flash memor
M29W320DB70ZE1	STMICROELECTRONICS	获取价格	32 Mbit 4Mb x8 or 2Mb x16, Boot Block 3V Supply Flash Memory
M29W320DB70ZE1E	NUMONYX	获取价格	32 Mbit (4Mbx8 or 2Mbx16, Non-uniform Parameter Blocks, Boot Block), 3V Supply Flash memor
M29W320DB70ZE1E	STMICROELECTRONICS	获取价格	32 Mbit 4Mb x8 or 2Mb x16, Boot Block 3V Supply Flash Memory
M29W320DB70ZE1F	STMICROELECTRONICS	获取价格	32 Mbit 4Mb x8 or 2Mb x16, Boot Block 3V Supply Flash Memory
M29W320DB70ZE1F	NUMONYX	获取价格	32 Mbit (4Mbx8 or 2Mbx16, Non-uniform Parameter Blocks, Boot Block), 3V Supply Flash memor
M29W320DB70ZE1T	NUMONYX	获取价格	32 Mbit (4Mbx8 or 2Mbx16, Non-uniform Parameter Blocks, Boot Block), 3V Supply Flash memor
M29W320DB70ZE1T	STMICROELECTRONICS	获取价格	32 Mbit 4Mb x8 or 2Mb x16, Boot Block 3V Supply Flash Memory
M29W320DB70ZE3	NUMONYX	获取价格	Flash, 2MX16, 70ns, PBGA48, 6 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, TFBGA-48
M29W320DB70ZE3E	NUMONYX	获取价格	Flash, 2MX16, 70ns, PBGA48, 6 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TFBGA-48

与M29W320DB70ZA6T相关文章

SL74HC10N：高性能三输入与非门解析
2024-09-03

45
AIC1781A 电池充电控制器深度解析
2024-09-03

33
Pickering新高压舌簧继电器亮相汽车测试博览会
2024-08-26

72
采用MCU+MPU双处理器架构实现的创新应用设计探索
2024-08-23

80

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

M29W320DB70ZA6T

M29W320DB70ZA6T 技术参数

M29W320DB70ZA6T 数据手册

与M29W320DB70ZA6T相关器件

与M29W320DB70ZA6T相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

M29W320DB70ZA6T

M29W320DB70ZA6T 技术参数

M29W320DB70ZA6T 数据手册

与M29W320DB70ZA6T相关器件

与M29W320DB70ZA6T相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？