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M29W256GL60N1E

更新时间： 2024-02-12 09:06:05
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恒忆 - NUMONYX /
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M29W256GL60N1E 数据手册

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M29W256GH  
M29W256GL  
256-Mbit (32 Mbit x8 or 16 Mbit x16, page, uniform block)  
3 V supply flash memory  
Features  
BGA  
„ Supply voltage  
– VCC = 2.7 to 3.6 V for program, erase, read  
– VCCQ = 1.65 to 3.6 V for I/O buffers  
– VPPH = 12 V for fast program (optional)  
LBGA (ZS)  
11 x 13 mm  
TSOP56 (N)  
14 x 20 mm  
„ Asynchronous random/page read  
– Page size: 8 words or 16 bytes  
– Page access: 25, 30 ns  
BGA  
– Random access: 60 (only available upon  
customer request) or 70, 80 ns  
TBGA64 (ZA)  
10 x 13 mm  
„ Fast program commands  
– 32 words (64-byte write buffer)  
– Faster block and chip erase  
„ Enhanced buffered program commands  
„ VPP/WP pin for fast program and write: protects  
first or last block regardless of block protection  
settings  
– 256 words  
„ Programming time  
„ Software protection:  
– Volatile protection  
– 16 μs per byte/word typical  
– Chip program time: 10 s with VPPH and  
16 s without VPPH  
– Non-volatile protection  
– Password protection  
„ Memory organization  
– M29256GH/L: 256 main blocks,  
128 Kbytes/64 Kwords each  
„ Common flash interface  
– 64-bit security code  
„ Program/erase controller  
„ 128-word extended memory block  
– Embedded byte/word program algorithms  
– Extra block used as security block or to  
store additional information  
„ Program/ erase suspend and resume  
– Read from any block during program  
suspend  
„ Low power consumption  
– Standby and automatic standby  
– Read and program another block during  
erase suspend  
„ Minimum 100,000 program/erase cycles per  
block  
„ Unlock Bypass/Block Erase/Chip Erase/Write  
„ RoHS compliant packages  
to Buffer/Enhanced Buffer Program commands  
„ Automotive device grade: Temperature -40 °C  
– Faster production/batch programming  
to 85 °C (Automotive grade certified)  
Table 1.  
Device summary  
Root part number  
M29W256GH / M29W256GL  
Device code  
227Eh + 2222h + 2201  
December 2008  
208012 -01  
1/98  
www.numonyx.com  
1
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与M29W256GL60N1E相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M29W256GL70N6E MICRON

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 		256Mb (32Mb x8 or 16Mb x16), 3V, Page, Uniform Block, Parallel NOR Flash Memory
M29W256GL70ZA6E MICRON

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 		256Mb (32Mb x8 or 16Mb x16), 3V, Page, Uniform Block, Parallel NOR Flash Memory
M29W256GL70ZA6F NUMONYX

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 		Flash, 16MX16, 70ns, PBGA64, 10 X 13 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TBGA-64
M29W256GL70ZA6F MICRON

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 		256Mb (32Mb x8 or 16Mb x16), 3V, Page, Uniform Block, Parallel NOR Flash Memory
M29W256GL70ZS6E MICRON

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 		Parallel NOR Flash Embedded Memory
M29W256GL70ZS6F MICRON

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 		256Mb (32Mb x8 or 16Mb x16), 3V, Page, Uniform Block, Parallel NOR Flash Memory
M29W256GL7AN6E MICRON

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 		256Mb (32Mb x8 or 16Mb x16), 3V, Page, Uniform Block, Parallel NOR Flash Memory
M29W256GL7AN6F MICRON

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 		256Mb (32Mb x8 or 16Mb x16), 3V, Page, Uniform Block, Parallel NOR Flash Memory
M29W256GL7AZA6E MICRON

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 		256Mb (32Mb x8 or 16Mb x16), 3V, Page, Uniform Block, Parallel NOR Flash Memory
M29W256GL7AZS6E MICRON

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 		256Mb (32Mb x8 or 16Mb x16), 3V, Page, Uniform Block, Parallel NOR Flash Memory

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