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M29W256GH7AZA6E PDF预览

M29W256GH7AZA6E

更新时间： 2024-02-10 12:36:33
品牌 Logo 应用领域
恒忆 - NUMONYX 内存集成电路闪存
页数 文件大小 规格书
98页 2321K
描述
Flash, 16MX16, 70ns, PBGA64, 10 X 13 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TBGA-64

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M29W256GH7AZA6E 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：BGA
包装说明：TBGA-64针数：64
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：3A991.B.1.A
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.64
最长访问时间：70 ns备用内存宽度：8
启动块：BOTTOM/TOP命令用户界面：YES
通用闪存接口：YES数据轮询：YES
JESD-30 代码：R-PBGA-B64JESD-609代码：e1
长度：13 mm内存密度：268435456 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：16
功能数量：1部门数/规模：256
端子数量：64字数：16777216 words
字数代码：16000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：16MX16封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TBGA封装等效代码：BGA64,8X8,40
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY
页面大小：8/16 words并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：3/3.3 V
编程电压：3 V认证状态：Not Qualified
就绪/忙碌：YES筛选级别：AEC-Q100
座面最大高度：1.2 mm部门规模：128K
最大待机电流：0.0001 A子类别：Flash Memories
最大压摆率：0.015 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：TIN SILVER COPPER
端子形式：BALL端子节距：1 mm
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：30
切换位：YES类型：NOR TYPE
宽度：10 mm最长写入周期时间 (tWC)：0.00007 ms
Base Number Matches：1

M29W256GH7AZA6E 数据手册

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M29W256GH  
M29W256GL  
256-Mbit (32 Mbit x8 or 16 Mbit x16, page, uniform block)  
3 V supply flash memory  
Features  
BGA  
„ Supply voltage  
– VCC = 2.7 to 3.6 V for program, erase, read  
– VCCQ = 1.65 to 3.6 V for I/O buffers  
– VPPH = 12 V for fast program (optional)  
LBGA (ZS)  
11 x 13 mm  
TSOP56 (N)  
14 x 20 mm  
„ Asynchronous random/page read  
– Page size: 8 words or 16 bytes  
– Page access: 25, 30 ns  
BGA  
– Random access: 60 (only available upon  
customer request) or 70, 80 ns  
TBGA64 (ZA)  
10 x 13 mm  
„ Fast program commands  
– 32 words (64-byte write buffer)  
– Faster block and chip erase  
„ Enhanced buffered program commands  
„ VPP/WP pin for fast program and write: protects  
first or last block regardless of block protection  
settings  
– 256 words  
„ Programming time  
„ Software protection:  
– Volatile protection  
– 16 μs per byte/word typical  
– Chip program time: 10 s with VPPH and  
16 s without VPPH  
– Non-volatile protection  
– Password protection  
„ Memory organization  
– M29256GH/L: 256 main blocks,  
128 Kbytes/64 Kwords each  
„ Common flash interface  
– 64-bit security code  
„ Program/erase controller  
„ 128-word extended memory block  
– Embedded byte/word program algorithms  
– Extra block used as security block or to  
store additional information  
„ Program/ erase suspend and resume  
– Read from any block during program  
suspend  
„ Low power consumption  
– Standby and automatic standby  
– Read and program another block during  
erase suspend  
„ Minimum 100,000 program/erase cycles per  
block  
„ Unlock Bypass/Block Erase/Chip Erase/Write  
„ RoHS compliant packages  
to Buffer/Enhanced Buffer Program commands  
„ Automotive device grade: Temperature -40 °C  
– Faster production/batch programming  
to 85 °C (Automotive grade certified)  
Table 1.  
Device summary  
Root part number  
M29W256GH / M29W256GL  
Device code  
227Eh + 2222h + 2201  
December 2008  
208012 -01  
1/98  
www.numonyx.com  
1
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与M29W256GH7AZA6E相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M29W256GH7AZS6E MICRON

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 		256Mb (32Mb x8 or 16Mb x16), 3V, Page, Uniform Block, Parallel NOR Flash Memory
M29W256GH7AZS6F MICRON

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 		256Mb (32Mb x8 or 16Mb x16), 3V, Page, Uniform Block, Parallel NOR Flash Memory
M29W256GL MICRON

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 		Parallel NOR Flash Embedded Memory
M29W256GL60N1E NUMONYX

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 		暂无描述
M29W256GL70N6E MICRON

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 		256Mb (32Mb x8 or 16Mb x16), 3V, Page, Uniform Block, Parallel NOR Flash Memory
M29W256GL70ZA6E MICRON

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 		256Mb (32Mb x8 or 16Mb x16), 3V, Page, Uniform Block, Parallel NOR Flash Memory
M29W256GL70ZA6F NUMONYX

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 		Flash, 16MX16, 70ns, PBGA64, 10 X 13 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TBGA-64
M29W256GL70ZA6F MICRON

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 		256Mb (32Mb x8 or 16Mb x16), 3V, Page, Uniform Block, Parallel NOR Flash Memory
M29W256GL70ZS6E MICRON

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M29W256GL70ZS6F MICRON

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 		256Mb (32Mb x8 or 16Mb x16), 3V, Page, Uniform Block, Parallel NOR Flash Memory

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