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M29W256GH70N6E PDF预览

M29W256GH70N6E

更新时间： 2024-02-11 06:27:14
品牌 Logo 应用领域
恒忆 - NUMONYX 光电二极管内存集成电路闪存
页数 文件大小 规格书
98页 2321K
描述
Flash, 16MX16, 70ns, PDSO56, 14 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP-56

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M29W256GH70N6E 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TSOP
包装说明：TSSOP, TSSOP56,.8,20针数：56
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：3A991.B.1.A
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.45
Is Samacsys：N最长访问时间：70 ns
备用内存宽度：8启动块：BOTTOM/TOP
命令用户界面：YES通用闪存接口：YES
数据轮询：YESJESD-30 代码：R-PDSO-G56
JESD-609代码：e3长度：20 mm
内存密度：268435456 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：16功能数量：1
部门数/规模：256端子数量：56
字数：16777216 words字数代码：16000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：16MX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSSOP
封装等效代码：TSSOP56,.8,20封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE页面大小：8/16 words
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：3/3.3 V编程电压：3 V
认证状态：Not Qualified就绪/忙碌：YES
座面最大高度：1.2 mm部门规模：128K
最大待机电流：0.0001 A子类别：Flash Memories
最大压摆率：0.015 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子节距：0.5 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
切换位：YES类型：NOR TYPE
宽度：14 mm最长写入周期时间 (tWC)：0.00007 ms
Base Number Matches：1

M29W256GH70N6E 数据手册

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M29W256GH  
M29W256GL  
256-Mbit (32 Mbit x8 or 16 Mbit x16, page, uniform block)  
3 V supply flash memory  
Features  
BGA  
„ Supply voltage  
– VCC = 2.7 to 3.6 V for program, erase, read  
– VCCQ = 1.65 to 3.6 V for I/O buffers  
– VPPH = 12 V for fast program (optional)  
LBGA (ZS)  
11 x 13 mm  
TSOP56 (N)  
14 x 20 mm  
„ Asynchronous random/page read  
– Page size: 8 words or 16 bytes  
– Page access: 25, 30 ns  
BGA  
– Random access: 60 (only available upon  
customer request) or 70, 80 ns  
TBGA64 (ZA)  
10 x 13 mm  
„ Fast program commands  
– 32 words (64-byte write buffer)  
– Faster block and chip erase  
„ Enhanced buffered program commands  
„ VPP/WP pin for fast program and write: protects  
first or last block regardless of block protection  
settings  
– 256 words  
„ Programming time  
„ Software protection:  
– Volatile protection  
– 16 μs per byte/word typical  
– Chip program time: 10 s with VPPH and  
16 s without VPPH  
– Non-volatile protection  
– Password protection  
„ Memory organization  
– M29256GH/L: 256 main blocks,  
128 Kbytes/64 Kwords each  
„ Common flash interface  
– 64-bit security code  
„ Program/erase controller  
„ 128-word extended memory block  
– Embedded byte/word program algorithms  
– Extra block used as security block or to  
store additional information  
„ Program/ erase suspend and resume  
– Read from any block during program  
suspend  
„ Low power consumption  
– Standby and automatic standby  
– Read and program another block during  
erase suspend  
„ Minimum 100,000 program/erase cycles per  
block  
„ Unlock Bypass/Block Erase/Chip Erase/Write  
„ RoHS compliant packages  
to Buffer/Enhanced Buffer Program commands  
„ Automotive device grade: Temperature -40 °C  
– Faster production/batch programming  
to 85 °C (Automotive grade certified)  
Table 1.  
Device summary  
Root part number  
M29W256GH / M29W256GL  
Device code  
227Eh + 2222h + 2201  
December 2008  
208012 -01  
1/98  
www.numonyx.com  
1
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与M29W256GH70N6E相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M29W256GH70ZA6E MICRON

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 		256Mb (32Mb x8 or 16Mb x16), 3V, Page, Uniform Block, Parallel NOR Flash Memory
M29W256GH70ZA6F MICRON

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 		256Mb (32Mb x8 or 16Mb x16), 3V, Page, Uniform Block, Parallel NOR Flash Memory
M29W256GH70ZS3F MICRON

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 		Anticipating electrostatic discharge (ESD) technology roadmap trends with ESD control hard
M29W256GH70ZS6E MICRON

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 		Parallel NOR Flash Embedded Memory
M29W256GH70ZS6F MICRON

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 		256Mb (32Mb x8 or 16Mb x16), 3V, Page, Uniform Block, Parallel NOR Flash Memory
M29W256GH7AZA6E NUMONYX

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 		Flash, 16MX16, 70ns, PBGA64, 10 X 13 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TBGA-64
M29W256GH7AZA6E MICRON

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 		256Mb (32Mb x8 or 16Mb x16), 3V, Page, Uniform Block, Parallel NOR Flash Memory
M29W256GH7AZS6E MICRON

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 		256Mb (32Mb x8 or 16Mb x16), 3V, Page, Uniform Block, Parallel NOR Flash Memory

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