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M29W256GH70N3E PDF预览

M29W256GH70N3E

更新时间： 2024-01-10 16:54:24
品牌 Logo 应用领域
镁光 - MICRON 光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
76页 992K
描述
Parallel NOR Flash Embedded Memory

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M29W256GH70N3E 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：TSSOP,
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.74
最长访问时间：70 ns备用内存宽度：8
启动块：BOTTOM/TOPJESD-30 代码：R-PDSO-G56
JESD-609代码：e3长度：18.4 mm
内存密度：268435456 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：16功能数量：1
端子数量：56字数：16777216 words
字数代码：16000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
组织：16MX16封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSSOP封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED编程电压：3 V
座面最大高度：1.2 mm最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：AUTOMOTIVE端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子节距：0.5 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
类型：NOR TYPE宽度：14 mm
Base Number Matches：1

M29W256GH70N3E 数据手册

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256Mb: 3V Embedded Parallel NOR Flash  
Features  
Parallel NOR Flash Embedded Memory  
M29W256GH, M29W256GL  
• VPP/WP# pin protection  
– Protects first or last block regardless of block  
Features  
• Supply voltage  
-protection settings  
– VCC = 2.7–3.6V (program, erase, read)  
– VCCQ = 1.65–3.6V (I/O buffers)  
– VPPH = 12V for fast program (optional)  
• Asynchronous random/page read  
– Page size: 8 words or 16 bytes  
– Page access: 25ns, 30ns  
• Software protection  
– Volatile protection  
– Nonvolatile protection  
– Password protection  
• Extended memory block  
– 128-word (256-byte) memory block for perma-  
nent, secure identification  
– Programmed or locked at the factory or by the  
customer  
• Common Flash interface  
– 64-bit security code  
• Low power consumption: Standby and automatic  
mode  
• JESD47H-compliant  
– 100,000 minimum PROGRAM/ERASE cycles per  
block  
– Data retention: 20 years (TYP)  
• 65nm single-level cell (SLC) process technology  
• Fortified BGA, TBGA, and TSOP packages  
• "Green" packages available  
– RoHS-compliant  
– Random access: 60ns1, 70ns, 80ns  
• Fast program commands: 32-word (64-byte) write  
buffer  
• Enhanced buffered program commands: 256-word  
• Program time  
– 16µs per byte/word TYP  
– Chip program time: 10s with VPPH and 16s with-  
out VPPH  
• Memory organization  
– Uniform blocks: 256 main blocks, 128KB, or 64-  
Kwords each  
• Program/erase controller  
– Embedded byte/word program algorithms  
• Program/erase suspend and resume capability  
– Read from any block during a PROGRAM SUS-  
PEND operation  
– Read or program another block during an ERASE  
SUSPEND operation  
– Halogen-free  
• Automotive device grade (6) temperature: –40°C to  
+85°C (automotive grade-certified)  
• Automotive device grade (3) temperature: –40°C to  
+125°C (automotive grade-certified)  
• Unlock bypass, block erase, chip erase, write to buf-  
fer and program  
– Fast buffered/batch programming  
– Fast block/chip erase  
1. The 60ns device is available upon customer  
request.  
Note:  
PDF: 09005aef84bd3b68  
m29w_256mb.pdf - Rev. C 7/13 EN  
Micron Technology, Inc. reserves the right to change products or specifications without notice.  
1
© 2013 Micron Technology, Inc. All rights reserved.  
Products and specifications discussed herein are subject to change by Micron without notice.  
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与M29W256GH70N3E相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M29W256GH70N6E MICRON

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 		Parallel NOR Flash Embedded Memory
M29W256GH70N6E NUMONYX

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 		Flash, 16MX16, 70ns, PDSO56, 14 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP-56
M29W256GH70ZA6E MICRON

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 		256Mb (32Mb x8 or 16Mb x16), 3V, Page, Uniform Block, Parallel NOR Flash Memory
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 		Anticipating electrostatic discharge (ESD) technology roadmap trends with ESD control hard
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 		256Mb (32Mb x8 or 16Mb x16), 3V, Page, Uniform Block, Parallel NOR Flash Memory
M29W256GH7AZA6E NUMONYX

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 		Flash, 16MX16, 70ns, PBGA64, 10 X 13 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TBGA-64

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