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M29W200BT90N6E

更新时间： 2024-02-28 03:58:43

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		闪存存储内存集成电路光电二极管 ISM频段
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2 Mbit (256Kb x8 or 128Kb x16, Boot Block) Low Voltage Single Supply Flash Memory

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M29W200BT90N6E 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP
包装说明：	12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48	针数：	48
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.23
最长访问时间：	90 ns	其他特性：	TOP BOOT BLOCK
备用内存宽度：	8	启动块：	TOP
JESD-30 代码：	R-PDSO-G48	JESD-609代码：	e3/e6
长度：	20 mm	内存密度：	2097152 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	16
功能数量：	1	端子数量：	48
字数：	131072 words	字数代码：	128000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	128KX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSSOP
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
编程电压：	2.7 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	TIN/TIN BISMUTH
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
类型：	NOR TYPE	宽度：	12 mm
Base Number Matches：	1

M29W200BT90N6E 数据手册

M29W200BT

M29W200BB

2 Mbit (256Kb x8 or 128Kb x16, Boot Block)

Low Voltage Single Supply Flash Memory

■ SINGLE 2.7 to 3.6V SUPPLY VOLTAGE for

PROGRAM, ERASE and READ OPERATIONS

■ ACCESS TIME: 55ns

■ PROGRAMMING TIME

– 10µs per Byte/Word typical

■ 7 MEMORY BLOCKS

– 1 Boot Block (Top or Bottom Location)

– 2 Parameter and 4 Main Blocks

■ PROGRAM/ERASE CONTROLLER

– Embedded Byte/Word Program algorithm

– Embedded Multi-Block/Chip Erase algorithm

– Status Register Polling and Toggle Bits

– Ready/Busy Output Pin

TSOP48 (N)

12 x 20mm

SO44 (M)

■ ERASE SUSPEND and RESUME MODES

– Read and Program another Block during

Erase Suspend

Figure 1. Logic Diagram

■ UNLOCK BYPASS PROGRAM COMMAND

– Faster Production/Batch Programming

■ TEMPORARY BLOCK UNPROTECTION

MODE

■ LOW POWER CONSUMPTION

– Standby and Automatic Standby

A0-A16

DQ0-DQ14

■ 100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per

BLOCK

DQ15A–1

BYTE

■ 20 YEARS DATA RETENTION

– Defectivity below 1 ppm/year

M29W200BT

M29W200BB

■ ELECTRONIC SIGNATURE

– Manufacturer Code: 0020h

– Top Device Code M29W200BT: 0051h

– Bottom Device Code: M29W200BB 0057h

■ ECOPACK^®PACKAGES AVAILABLE

AI02948

September 2005

1/22

12 3 4 5 6 7...22

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
M29W200BT90N6F	STMICROELECTRONICS	获取价格	2 Mbit (256Kb x8 or 128Kb x16, Boot Block) Low Voltage Single Supply Flash Memory
M29W200BT90N6T	STMICROELECTRONICS	获取价格	2 Mbit 256Kb x8 or 128Kb x16, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory
M29W200BT90N6T	NUMONYX	获取价格	Flash, 128KX16, 90ns, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48
M29W256GH	MICRON	获取价格	Parallel NOR Flash Embedded Memory
M29W256GH60N6E	NUMONYX	获取价格	Flash, 16MX16, 60ns, PDSO56, 14 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP-56
M29W256GH70N3E	MICRON	获取价格	Parallel NOR Flash Embedded Memory
M29W256GH70N6E	MICRON	获取价格	Parallel NOR Flash Embedded Memory
M29W256GH70N6E	NUMONYX	获取价格	Flash, 16MX16, 70ns, PDSO56, 14 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP-56
M29W256GH70ZA6E	MICRON	获取价格	256Mb (32Mb x8 or 16Mb x16), 3V, Page, Uniform Block, Parallel NOR Flash Memory
M29W256GH70ZA6F	MICRON	获取价格	256Mb (32Mb x8 or 16Mb x16), 3V, Page, Uniform Block, Parallel NOR Flash Memory

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