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Datasheet > 存储 > 闪存> M29W200BB55N6T
M29W200BB55N6T PDF预览

M29W200BB55N6T

更新时间： 2024-02-28 17:30:35
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 闪存内存集成电路光电二极管
页数 文件大小 规格书
22页 145K
描述
2 Mbit 256Kb x8 or 128Kb x16, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory

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M29W200BB55N6T 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
零件包装代码：TSOP包装说明：12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48
针数：48Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.35最长访问时间：55 ns
其他特性：BOTTOM BOOT BLOCK备用内存宽度：8
启动块：BOTTOM命令用户界面：YES
数据轮询：YES耐久性：100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：R-PDSO-G48JESD-609代码：e0
长度：20 mm内存密度：2097152 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：16
功能数量：1部门数/规模：1,2,1,3
端子数量：48字数：131072 words
字数代码：128000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：128KX16封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSSOP封装等效代码：TSSOP48,.8,20
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：3.3 V编程电压：3 V
认证状态：Not Qualified就绪/忙碌：YES
座面最大高度：1.2 mm部门规模：16K,8K,32K,64K
最大待机电流：0.0001 A子类别：Flash Memories
最大压摆率：0.02 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：3 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：TIN LEAD
端子形式：GULL WING端子节距：0.5 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
切换位：YES类型：NOR TYPE
宽度：12 mmBase Number Matches：1

M29W200BB55N6T 数据手册

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M29W200BT  
M29W200BB  
2 Mbit (256Kb x8 or 128Kb x16, Boot Block)  
Low Voltage Single Supply Flash Memory  
PRELIMINARY DATA  
■ SINGLE 2.7 to 3.6V SUPPLY VOLTAGE for  
PROGRAM, ERASE and READ OPERATIONS  
■ ACCESS TIME: 55ns  
■ PROGRAMMING TIME  
– 10µs per Byte/Word typical  
44  
■ 7 MEMORY BLOCKS  
– 1 Boot Block (Top or Bottom Location)  
– 2 Parameter and 4 Main Blocks  
■ PROGRAM/ERASE CONTROLLER  
– Embedded Byte/Word Program algorithm  
– Embedded Multi-Block/Chip Erase algorithm  
– Status Register Polling and Toggle Bits  
– Ready/Busy Output Pin  
1
TSOP48 (N)  
12 x 20mm  
SO44 (M)  
■ ERASE SUSPEND and RESUME MODES  
– Read and Program another Block during  
Erase Suspend  
Figure 1. Logic Diagram  
■ UNLOCK BYPASS PROGRAM COMMAND  
– Faster Production/Batch Programming  
■ TEMPORARY BLOCK UNPROTECTION  
V
CC  
MODE  
■ LOW POWER CONSUMPTION  
17  
15  
– Standby and Automatic Standby  
A0-A16  
DQ0-DQ14  
■ 100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per  
BLOCK  
W
E
DQ15A–1  
BYTE  
RB  
■ 20 YEARS DATA RETENTION  
– Defectivity below 1 ppm/year  
M29W200BT  
M29W200BB  
■ ELECTRONIC SIGNATURE  
G
– Manufacturer Code: 0020h  
RP  
– Top Device Code M29W200BT: 0051h  
– Bottom Device Code: M29W200BB 0057h  
V
SS  
AI02948  
March 2000  
1/22  
This is preliminary information on a new product now in development or undergoing evaluation. Details are subject to change without notice.  
1234567...22

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与M29W200BB55N6T相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M29W200BB70M1 STMICROELECTRONICS

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 		2 Mbit (256Kb x8 or 128Kb x16, Boot Block) Low Voltage Single Supply Flash Memory
M29W200BB70M1 NUMONYX

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 		Flash, 128KX16, 70ns, PDSO44, 0.525 INCH, PLASTIC, SOP-44
M29W200BB70M1E STMICROELECTRONICS

获取价格

 		2 Mbit (256Kb x8 or 128Kb x16, Boot Block) Low Voltage Single Supply Flash Memory
M29W200BB70M1E NUMONYX

获取价格

 		Flash, 128KX16, 70ns, PDSO44, 0.525 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, SOP-44
M29W200BB70M1F STMICROELECTRONICS

获取价格

 		2 Mbit (256Kb x8 or 128Kb x16, Boot Block) Low Voltage Single Supply Flash Memory
M29W200BB70M1F NUMONYX

获取价格

 		Flash, 128KX16, 70ns, PDSO44, 0.525 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, SOP-44
M29W200BB70M1T STMICROELECTRONICS

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 		2 Mbit 256Kb x8 or 128Kb x16, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory
M29W200BB70M1T NUMONYX

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 		Flash, 128KX16, 70ns, PDSO44, 0.525 INCH, PLASTIC, SOP-44
M29W200BB70M6 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		2 Mbit (256Kb x8 or 128Kb x16, Boot Block) Low Voltage Single Supply Flash Memory
M29W200BB70M6E STMICROELECTRONICS

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 		2 Mbit (256Kb x8 or 128Kb x16, Boot Block) Low Voltage Single Supply Flash Memory

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