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M29W200BB55N1

更新时间: 2024-02-08 22:39:22
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意法半导体 - STMICROELECTRONICS 闪存
页数 文件大小 规格书
22页 506K
描述
2 Mbit (256Kb x8 or 128Kb x16, Boot Block) Low Voltage Single Supply Flash Memory

M29W200BB55N1 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TSOP包装说明:12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48
针数:48Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.51
风险等级:5.69Is Samacsys:N
最长访问时间:55 ns其他特性:BOTTOM BOOT BLOCK
备用内存宽度:8启动块:BOTTOM
命令用户界面:YES数据轮询:YES
耐久性:100000 Write/Erase CyclesJESD-30 代码:R-PDSO-G48
JESD-609代码:e3长度:20 mm
内存密度:2097152 bit内存集成电路类型:FLASH
内存宽度:16功能数量:1
部门数/规模:1,2,1,3端子数量:48
字数:131072 words字数代码:128000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:128KX16
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSSOP
封装等效代码:TSSOP48,.8,20封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):260电源:3.3 V
编程电压:3 V认证状态:Not Qualified
就绪/忙碌:YES座面最大高度:1.2 mm
部门规模:16K,8K,32K,64K最大待机电流:0.0001 A
子类别:Flash Memories最大压摆率:0.02 mA
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:MATTE TIN端子形式:GULL WING
端子节距:0.5 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED切换位:YES
类型:NOR TYPE宽度:12 mm
Base Number Matches:1

M29W200BB55N1 数据手册

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M29W200BT  
M29W200BB  
2 Mbit (256Kb x8 or 128Kb x16, Boot Block)  
Low Voltage Single Supply Flash Memory  
SINGLE 2.7 to 3.6V SUPPLY VOLTAGE for  
PROGRAM, ERASE and READ OPERATIONS  
ACCESS TIME: 55ns  
PROGRAMMING TIME  
– 10µs per Byte/Word typical  
44  
7 MEMORY BLOCKS  
– 1 Boot Block (Top or Bottom Location)  
– 2 Parameter and 4 Main Blocks  
PROGRAM/ERASE CONTROLLER  
– Embedded Byte/Word Program algorithm  
– Embedded Multi-Block/Chip Erase algorithm  
– Status Register Polling and Toggle Bits  
– Ready/Busy Output Pin  
1
TSOP48 (N)  
12 x 20mm  
SO44 (M)  
ERASE SUSPEND and RESUME MODES  
– Read and Program another Block during  
Erase Suspend  
Figure 1. Logic Diagram  
UNLOCK BYPASS PROGRAM COMMAND  
– Faster Production/Batch Programming  
TEMPORARY BLOCK UNPROTECTION  
V
CC  
MODE  
LOW POWER CONSUMPTION  
17  
15  
– Standby and Automatic Standby  
A0-A16  
DQ0-DQ14  
100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per  
BLOCK  
W
E
DQ15A–1  
BYTE  
RB  
20 YEARS DATA RETENTION  
– Defectivity below 1 ppm/year  
M29W200BT  
M29W200BB  
ELECTRONIC SIGNATURE  
G
– Manufacturer Code: 0020h  
RP  
– Top Device Code M29W200BT: 0051h  
– Bottom Device Code: M29W200BB 0057h  
ECOPACK® PACKAGES AVAILABLE  
V
SS  
AI02948  
September 2005  
1/22  

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