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M29W160ET70ZA6F

更新时间： 2024-01-18 10:51:32

品牌	Logo	应用领域
恒忆 - NUMONYX		闪存内存集成电路
页数	文件大小	规格书
40页	1035K
描述
16 Mbit (2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory

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M29W160ET70ZA6F 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	BGA	包装说明：	6 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, TFBGA-48
针数：	48	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.41	最长访问时间：	70 ns
其他特性：	TOP BOOT BLOCK	备用内存宽度：	8
启动块：	TOP	命令用户界面：	YES
通用闪存接口：	YES	数据轮询：	YES
JESD-30 代码：	R-PBGA-B48	长度：	8 mm
内存密度：	16777216 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	16	功能数量：	1
部门数/规模：	1,2,1,31	端子数量：	48
字数：	1048576 words	字数代码：	1000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	1MX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TFBGA
封装等效代码：	BGA48,6X8,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	并行/串行：	PARALLEL
电源：	3/3.3 V	编程电压：	3 V
认证状态：	Not Qualified	就绪/忙碌：	YES
座面最大高度：	1.2 mm	部门规模：	16K,8K,32K,64K
最大待机电流：	0.0001 A	子类别：	Flash Memories
最大压摆率：	0.02 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
切换位：	YES	类型：	NOR TYPE
宽度：	6 mm	Base Number Matches：	1

M29W160ET70ZA6F 数据手册

M29W160ET

M29W160EB

16 Mbit (2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block)

3V Supply Flash Memory

FEATURES SUMMARY

■

SUPPLY VOLTAGE

Figure 1. Packages

–

= 2.7V to 3.6V for Program, Erase

and Read

■

ACCESS TIMES: 70, 90ns

PROGRAMMING TIME

–

10µs per Byte/Word typical

■

35 MEMORY BLOCKS

–

1 Boot Block (Top or Bottom Location)

2 Parameter and 32 Main Blocks

■

PROGRAM/ERASE CONTROLLER

–

Embedded Byte/Word Program

algorithms

TSOP48 (N)

12 x 20mm

ERASE SUSPEND and RESUME MODES

–

Read and Program another Block during

Erase Suspend

UNLOCK BYPASS PROGRAM COMMAND

Faster Production/Batch Programming

–

FBGA

■

TEMPORARY BLOCK UNPROTECTION

MODE

COMMON FLASH INTERFACE

TFBGA48 (ZA)

6 x 8mm

–

64 bit Security Code

LOW POWER CONSUMPTION

Standby and Automatic Standby

■

–

■

100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per

BLOCK

ELECTRONIC SIGNATURE

–

Manufacturer Code: 0020h

Top Device Code M29W160ET: 22C4h

Bottom Device Code M29W160EB: 2249h

March 2008

1/40

12 3 4 5 6 7...40

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M29W160ET70ZA6F 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
M29W160ET70ZA6F	MICRON	功能相似	16Mb (2Mb x8 or 1Mb x16), 3V, Boot Block, Parallel NOR Flash Memory
M29W160ET70ZA6E	MICRON	功能相似	16Mb (2Mb x8 or 1Mb x16), 3V, Boot Block, Parallel NOR Flash Memory

与M29W160ET70ZA6F相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
M29W160ET70ZA6T	STMICROELECTRONICS	获取价格	16 Mbit (2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M29W160ET70ZA6T	NUMONYX	获取价格	16 Mbit (2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M29W160ET70ZS3	NUMONYX	获取价格	Flash, 1MX16, 70ns, PBGA64, 11 X 13 MM, 1 MM PITCH, FBGA-64
M29W160ET70ZS3E	NUMONYX	获取价格	Flash, 1MX16, 70ns, PBGA64, 11 X 13 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FBGA-64
M29W160ET70ZS3F	NUMONYX	获取价格	Flash, 1MX16, 70ns, PBGA64, 11 X 13 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FBGA-64
M29W160ET70ZS3T	NUMONYX	获取价格	Flash, 1MX16, 70ns, PBGA64, 11 X 13 MM, 1 MM PITCH, FBGA-64
M29W160ET70ZS6E	MICRON	获取价格	16Mb (2Mb x8 or 1Mb x16), 3V, Boot Block, Parallel NOR Flash Memory
M29W160ET70ZS6F	MICRON	获取价格	16Mb (2Mb x8 or 1Mb x16), 3V, Boot Block, Parallel NOR Flash Memory
M29W160ET7AN6	NUMONYX	获取价格	Flash, 1MX16, 70ns, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48
M29W160ET7AN6E	NUMONYX	获取价格	Flash, 1MX16, 70ns, PDSO48, 12 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP-48

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