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M29W160EB70ZA3T

更新时间： 2024-11-08 15:42:23
品牌 Logo 应用领域
恒忆 - NUMONYX /
页数 文件大小 规格书
42页 1209K
描述
Flash, 1MX16, 70ns, PBGA48, 6 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, TFBGA-48

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M29W160EB70ZA3T 技术参数

生命周期：Transferred零件包装代码：BGA
包装说明：6 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, TFBGA-48针数：48
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.15
Is Samacsys：N最长访问时间：70 ns
其他特性：BOTTOM BOOT BLOCK备用内存宽度：8
启动块：BOTTOMJESD-30 代码：R-PBGA-B48
长度：8 mm内存密度：16777216 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：16
功能数量：1端子数量：48
字数：1048576 words字数代码：1000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C组织：1MX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TFBGA
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行：PARALLEL编程电压：3 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：AUTOMOTIVE
端子形式：BALL端子节距：0.8 mm
端子位置：BOTTOM类型：NOR TYPE
宽度：6 mmBase Number Matches：1

M29W160EB70ZA3T 数据手册

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M29W160ET  
M29W160EB  
16 Mbit (2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block)  
3V Supply Flash Memory  
FEATURES SUMMARY  
„ SUPPLY VOLTAGE  
Figure 1. Packages  
–
V
CC = 2.7V to 3.6V for Program, Erase  
and Read  
„ ACCESS TIMES: 70, 90ns  
„ PROGRAMMING TIME  
–
10μs per Byte/Word typical  
„ 35 MEMORY BLOCKS  
TSOP48 (N)  
12 x 20mm  
–
–
1 Boot Block (Top or Bottom Location)  
2 Parameter and 32 Main Blocks  
„ PROGRAM/ERASE CONTROLLER  
FBGA  
–
Embedded Byte/Word Program  
algorithms  
„ ERASE SUSPEND and RESUME MODES  
TFBGA48 (ZA)  
6 x 8mm  
–
Read and Program another Block during  
Erase Suspend  
„ UNLOCK BYPASS PROGRAM COMMAND  
Faster Production/Batch Programming  
–
BGA  
„ TEMPORARY BLOCK UNPROTECTION  
MODE  
„ COMMON FLASH INTERFACE  
FBGA64 (ZS)  
11 x 13 mm  
–
64 bit Security Code  
„ LOW POWER CONSUMPTION  
Standby and Automatic Standby  
–
„ 100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per  
BLOCK  
„ ELECTRONIC SIGNATURE  
–
–
–
Manufacturer Code: 0020h  
Top Device Code M29W160ET: 22C4h  
Bottom Device Code M29W160EB: 2249h  
„ Automotive Grade Parts Available  
June 2009  
1/42  
1234567...42

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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