5秒后页面跳转
M29W160EB70N6E PDF预览

M29W160EB70N6E

更新时间: 2024-11-08 05:01:07
品牌 Logo 应用领域
恒忆 - NUMONYX 闪存存储内存集成电路光电二极管
页数 文件大小 规格书
40页 1035K
描述
16 Mbit (2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory

M29W160EB70N6E 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Transferred
零件包装代码:TSOP包装说明:TSSOP, TSSOP48,.8,20
针数:48Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.51
风险等级:5.41Is Samacsys:N
最长访问时间:70 ns其他特性:BOTTOM BOOT BLOCK
备用内存宽度:8启动块:BOTTOM
命令用户界面:YES通用闪存接口:YES
数据轮询:YESJESD-30 代码:R-PDSO-G48
长度:18.4 mm内存密度:16777216 bit
内存集成电路类型:FLASH内存宽度:16
功能数量:1部门数/规模:1,2,1,31
端子数量:48字数:1048576 words
字数代码:1000000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:1MX16封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSSOP封装等效代码:TSSOP48,.8,20
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:3/3.3 V编程电压:3 V
认证状态:Not Qualified就绪/忙碌:YES
座面最大高度:1.2 mm部门规模:16K,8K,32K,64K
最大待机电流:0.0001 A子类别:Flash Memories
最大压摆率:0.02 mA最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):2.7 V标称供电电压 (Vsup):3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子形式:GULL WING
端子节距:0.5 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED切换位:YES
类型:NOR TYPE宽度:12 mm
Base Number Matches:1

M29W160EB70N6E 数据手册

 浏览型号M29W160EB70N6E的Datasheet PDF文件第2页浏览型号M29W160EB70N6E的Datasheet PDF文件第3页浏览型号M29W160EB70N6E的Datasheet PDF文件第4页浏览型号M29W160EB70N6E的Datasheet PDF文件第5页浏览型号M29W160EB70N6E的Datasheet PDF文件第6页浏览型号M29W160EB70N6E的Datasheet PDF文件第7页 
M29W160ET  
M29W160EB  
16 Mbit (2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block)  
3V Supply Flash Memory  
FEATURES SUMMARY  
SUPPLY VOLTAGE  
Figure 1. Packages  
V
CC  
= 2.7V to 3.6V for Program, Erase  
and Read  
ACCESS TIMES: 70, 90ns  
PROGRAMMING TIME  
10µs per Byte/Word typical  
35 MEMORY BLOCKS  
1 Boot Block (Top or Bottom Location)  
2 Parameter and 32 Main Blocks  
PROGRAM/ERASE CONTROLLER  
Embedded Byte/Word Program  
algorithms  
TSOP48 (N)  
12 x 20mm  
ERASE SUSPEND and RESUME MODES  
Read and Program another Block during  
Erase Suspend  
UNLOCK BYPASS PROGRAM COMMAND  
Faster Production/Batch Programming  
FBGA  
TEMPORARY BLOCK UNPROTECTION  
MODE  
COMMON FLASH INTERFACE  
TFBGA48 (ZA)  
6 x 8mm  
64 bit Security Code  
LOW POWER CONSUMPTION  
Standby and Automatic Standby  
100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per  
BLOCK  
ELECTRONIC SIGNATURE  
Manufacturer Code: 0020h  
Top Device Code M29W160ET: 22C4h  
Bottom Device Code M29W160EB: 2249h  
March 2008  
1/40  

M29W160EB70N6E 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
M29W160EB70N6E MICRON

功能相似

16Mb (2Mb x8 or 1Mb x16), 3V, Boot Block, Parallel NOR Flash Memory

与M29W160EB70N6E相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M29W160EB70N6F STMICROELECTRONICS

获取价格

16 Mbit (2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M29W160EB70N6F NUMONYX

获取价格

16 Mbit (2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M29W160EB70N6T NUMONYX

获取价格

16 Mbit (2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M29W160EB70N6T STMICROELECTRONICS

获取价格

16 Mbit (2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M29W160EB70ZA3E NUMONYX

获取价格

Flash, 1MX16, 70ns, PBGA48, 6 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TFBGA-48
M29W160EB70ZA3F NUMONYX

获取价格

Flash, 1MX16, 70ns, PBGA48, 6 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TFBGA-48
M29W160EB70ZA3T NUMONYX

获取价格

Flash, 1MX16, 70ns, PBGA48, 6 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, TFBGA-48
M29W160EB70ZA6 STMICROELECTRONICS

获取价格

16 Mbit (2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M29W160EB70ZA6 NUMONYX

获取价格

16 Mbit (2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M29W160EB70ZA6E STMICROELECTRONICS

获取价格

16 Mbit (2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory