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M29W160EB70N3E PDF预览

M29W160EB70N3E

更新时间： 2024-09-29 15:17:15
品牌 Logo 应用领域
镁光 - MICRON /
页数 文件大小 规格书
47页 640K
描述
16Mb (2Mb x8 or 1Mb x16), 3V, Boot Block, Parallel NOR Flash Memory

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M29W160EB70N3E 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TSOP
包装说明：TSSOP, TSSOP48,.8,20针数：48
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.54
最长访问时间：70 ns其他特性：BOTTOM BOOT BLOCK
备用内存宽度：8启动块：BOTTOM
命令用户界面：YES通用闪存接口：YES
数据轮询：YESJESD-30 代码：R-PDSO-G48
JESD-609代码：e3长度：18.4 mm
内存密度：16777216 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：16功能数量：1
部门数/规模：1,2,1,31端子数量：48
字数：1048576 words字数代码：1000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C组织：1MX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSSOP
封装等效代码：TSSOP48,.8,20封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：3/3.3 V
编程电压：3 V认证状态：Not Qualified
就绪/忙碌：YES座面最大高度：1.2 mm
部门规模：16K,8K,32K,64K最大待机电流：0.0001 A
子类别：Flash Memories最大压摆率：0.01 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：AUTOMOTIVE
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子节距：0.5 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED切换位：YES
类型：NOR TYPE宽度：12 mm
Base Number Matches：1

M29W160EB70N3E 数据手册

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16Mb: 3V Embedded Parallel NOR Flash  
Features  
Parallel NOR Flash Embedded Memory  
M29W160ET, M29W160EB  
• Common Flash interface  
– 64-bit security code  
• Low power consumption: Standby and automatic  
mode  
• 100,000 PROGRAM/ERASE cycles per block  
• Electronic signature  
Features  
• Supply voltage  
– VCC = 2.7–3.6V (program, erase, read)  
• Access times  
– 70, 90ns  
• Program time  
– 10µs per byte/word (TYP)  
• Memory organization  
– 3 parameter and 31 main blocks  
– 1 boot block (top or bottom location)  
• Program/erase controller  
– Embedded byte/word program algorithms  
• Erase suspend and resume capability  
– Read or program another block during an ERASE  
SUSPEND operation  
– Manufacturer code: 0020h  
– Top device code M29W160ET: 22C4h  
– Bottom device code M29W160EB: 2249h  
• Packages  
– 48-pin TSOP (N) 12mm x 20mm  
– 48-ball TFBGA (ZA) 6mm x 8mm  
– 64-ball FBGA (ZS) 11mm x 13mm  
• Automotive grade parts available  
• UNLOCK BYPASS PROGRAM COMMAND  
– Fast buffered/batch programming  
• Temporary block unprotect mode  
PDF: 09005aef84e1488c  
m29W_160e.pdf - Rev. C 02/18 EN  
Micron Technology, Inc. reserves the right to change products or specifications without notice.  
1
© 2012 Micron Technology, Inc. All rights reserved.  
Products and specifications discussed herein are subject to change by Micron without notice.  
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M29W160EB70N3E 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
M29W160FB70N3F MICRON

完全替代

 16Mb, 32Mb (x8 or x16), Boot Block, Parallel NOR Flash Memory
M29W160FB70N3E MICRON

完全替代

 16Mb, 32Mb (x8 or x16), Boot Block, Parallel NOR Flash Memory
M29W160EB70N3F MICRON

完全替代

 16Mb (2Mb x8 or 1Mb x16), 3V, Boot Block, Parallel NOR Flash Memory

与M29W160EB70N3E相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M29W160EB70N3F MICRON

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 		16Mb (2Mb x8 or 1Mb x16), 3V, Boot Block, Parallel NOR Flash Memory
M29W160EB70N3T NUMONYX

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 		Flash, 1MX16, 70ns, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48
M29W160EB70N6 STMICROELECTRONICS

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 		16 Mbit (2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M29W160EB70N6 NUMONYX

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 		16 Mbit (2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M29W160EB70N6E NUMONYX

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 		16 Mbit (2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M29W160EB70N6E STMICROELECTRONICS

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 		16 Mbit (2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M29W160EB70N6E MICRON

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 		16Mb (2Mb x8 or 1Mb x16), 3V, Boot Block, Parallel NOR Flash Memory
M29W160EB70N6F STMICROELECTRONICS

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 		16 Mbit (2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M29W160EB70N6F NUMONYX

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 		16 Mbit (2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M29W160EB70N6T NUMONYX

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 		16 Mbit (2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory

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