Datasheet > 存储 > 闪存> M29W160DT90N6

M29W160DT90N6

更新时间： 2024-11-18 10:56:07

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		闪存存储内存集成电路光电二极管
页数	文件大小	规格书
29页	183K
描述
16 Mbit (2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

M29W160DT90N6 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TSOP	包装说明：	12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48
针数：	48	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.45	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	90 ns	其他特性：	TOP BOOT BLOCK
备用内存宽度：	8	启动块：	TOP
命令用户界面：	YES	通用闪存接口：	YES
数据轮询：	YES	JESD-30 代码：	R-PDSO-G48
JESD-609代码：	e0	长度：	18.4 mm
内存密度：	16777216 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	16	功能数量：	1
部门数/规模：	1,2,1,31	端子数量：	48
字数：	1048576 words	字数代码：	1000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	1MX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP1
封装等效代码：	TSSOP48,.8,20	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
电源：	3/3.3 V	编程电压：	3 V
认证状态：	Not Qualified	就绪/忙碌：	YES
座面最大高度：	1.2 mm	部门规模：	16K,8K,32K,64K
最大待机电流：	0.0001 A	子类别：	Flash Memories
最大压摆率：	0.02 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	DUAL	切换位：	YES
类型：	NOR TYPE	宽度：	12 mm
Base Number Matches：	1

M29W160DT90N6 数据手册

M29W160DT

M29W160DB

16 Mbit (2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block)

3V Supply Flash Memory

PRELIMINARY DATA

FEATURES SUMMARY

■ SINGLE 2.7 to 3.6V SUPPLY VOLTAGE for

Figure 1. Packages

PROGRAM, ERASE and READ OPERATIONS

■ ACCESS TIME: 70ns

■ PROGRAMMING TIME

– 10µs per Byte/Word typical

■ 35 MEMORY BLOCKS

– 1 Boot Block (Top or Bottom Location)

– 2 Parameter and 32 Main Blocks

■ PROGRAM/ERASE CONTROLLER

– Embedded Program and Erase algorithms

■ ERASE SUSPEND and RESUME MODES

TSOP48 (N)

12 x 20mm

SO44 (M)

FBGA

– Read and Program another Block during

Erase Suspend

LFBGA48 (ZA)

8 x 6 solder balls

■ UNLOCK BYPASS PROGRAM COMMAND

– Faster Production/Batch Programming

■ TEMPORARY BLOCK UNPROTECTION

MODE

■ SECURITY MEMORY BLOCK

■ LOW POWER CONSUMPTION

– Standby and Automatic Standby

■ 100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per

BLOCK

■ ELECTRONIC SIGNATURE

– Manufacturer Code: 0020h

– Top Device Code M29W160DT: 22C4h

– Bottom Device Code M29W160DB: 2249h

January 2001

1/29

This is preliminary information on a new product now in development or undergoing evaluation. Details are subject to change without notice.

12 3 4 5 6 7...29

中文翻译

下载PDF

与M29W160DT90N6相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
M29W160DT90N6E	STMICROELECTRONICS	获取价格	16 Mbit (2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M29W160DT90N6F	STMICROELECTRONICS	获取价格	16 Mbit (2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M29W160DT90N6T	STMICROELECTRONICS	获取价格	16 Mbit 2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block 3V Supply Flash Memory
M29W160DT90ZA1	STMICROELECTRONICS	获取价格	16 Mbit (2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M29W160DT90ZA1E	STMICROELECTRONICS	获取价格	16 Mbit (2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M29W160DT90ZA1F	STMICROELECTRONICS	获取价格	16 Mbit (2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M29W160DT90ZA1T	STMICROELECTRONICS	获取价格	16 Mbit 2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block 3V Supply Flash Memory
M29W160DT90ZA6	STMICROELECTRONICS	获取价格	16 Mbit (2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M29W160DT90ZA6E	STMICROELECTRONICS	获取价格	16 Mbit (2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M29W160DT90ZA6F	STMICROELECTRONICS	获取价格	16 Mbit (2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory

与M29W160DT90N6相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

18
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

12
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

43
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

38

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

M29W160DT90N6

M29W160DT90N6 技术参数

M29W160DT90N6 数据手册

与M29W160DT90N6相关器件

与M29W160DT90N6相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

M29W160DT90N6

M29W160DT90N6 技术参数

M29W160DT90N6 数据手册

与M29W160DT90N6相关器件

与M29W160DT90N6相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？