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M29W160DT90M1E

更新时间： 2024-11-08 10:56:07

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		闪存存储内存集成电路光电二极管
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29页	183K
描述
16 Mbit (2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory

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M29W160DT90M1E 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	SOIC	包装说明：	0.525 INCH, PLASTIC, SO-44
针数：	44	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.2	最长访问时间：	90 ns
其他特性：	TOP BOOT BLOCK	备用内存宽度：	8
启动块：	TOP	JESD-30 代码：	R-PDSO-G44
长度：	28.2 mm	内存密度：	16777216 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	16
功能数量：	1	端子数量：	44
字数：	1048576 words	字数代码：	1000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	1MX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOP
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	250
编程电压：	3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	2.8 mm	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	GULL WING
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	类型：	NOR TYPE
宽度：	13.3 mm	Base Number Matches：	1

M29W160DT90M1E 数据手册

M29W160DT

M29W160DB

16 Mbit (2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block)

3V Supply Flash Memory

PRELIMINARY DATA

FEATURES SUMMARY

■ SINGLE 2.7 to 3.6V SUPPLY VOLTAGE for

Figure 1. Packages

PROGRAM, ERASE and READ OPERATIONS

■ ACCESS TIME: 70ns

■ PROGRAMMING TIME

– 10µs per Byte/Word typical

■ 35 MEMORY BLOCKS

– 1 Boot Block (Top or Bottom Location)

– 2 Parameter and 32 Main Blocks

■ PROGRAM/ERASE CONTROLLER

– Embedded Program and Erase algorithms

■ ERASE SUSPEND and RESUME MODES

TSOP48 (N)

12 x 20mm

SO44 (M)

FBGA

– Read and Program another Block during

Erase Suspend

LFBGA48 (ZA)

8 x 6 solder balls

■ UNLOCK BYPASS PROGRAM COMMAND

– Faster Production/Batch Programming

■ TEMPORARY BLOCK UNPROTECTION

MODE

■ SECURITY MEMORY BLOCK

■ LOW POWER CONSUMPTION

– Standby and Automatic Standby

■ 100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per

BLOCK

■ ELECTRONIC SIGNATURE

– Manufacturer Code: 0020h

– Top Device Code M29W160DT: 22C4h

– Bottom Device Code M29W160DB: 2249h

January 2001

1/29

This is preliminary information on a new product now in development or undergoing evaluation. Details are subject to change without notice.

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