Datasheet > 存储 > 闪存> M29W160DT70ZA6F

M29W160DT70ZA6F

更新时间： 2024-11-08 10:56:07

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		闪存存储内存集成电路
页数	文件大小	规格书
29页	183K
描述
16 Mbit (2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

M29W160DT70ZA6F 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	BGA	包装说明：	8 X 9 MM, 0.80 MM PITCH, TFBGA-48
针数：	48	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.17	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	70 ns	其他特性：	TOP BOOT BLOCK
备用内存宽度：	8	启动块：	TOP
JESD-30 代码：	R-PBGA-B48	JESD-609代码：	e1
长度：	9 mm	内存密度：	16777216 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	16
功能数量：	1	端子数量：	48
字数：	1048576 words	字数代码：	1000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	1MX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TFBGA
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
编程电压：	3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
类型：	NOR TYPE	宽度：	8 mm
Base Number Matches：	1

M29W160DT70ZA6F 数据手册

M29W160DT

M29W160DB

16 Mbit (2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block)

3V Supply Flash Memory

PRELIMINARY DATA

FEATURES SUMMARY

■ SINGLE 2.7 to 3.6V SUPPLY VOLTAGE for

Figure 1. Packages

PROGRAM, ERASE and READ OPERATIONS

■ ACCESS TIME: 70ns

■ PROGRAMMING TIME

– 10µs per Byte/Word typical

■ 35 MEMORY BLOCKS

– 1 Boot Block (Top or Bottom Location)

– 2 Parameter and 32 Main Blocks

■ PROGRAM/ERASE CONTROLLER

– Embedded Program and Erase algorithms

■ ERASE SUSPEND and RESUME MODES

TSOP48 (N)

12 x 20mm

SO44 (M)

FBGA

– Read and Program another Block during

Erase Suspend

LFBGA48 (ZA)

8 x 6 solder balls

■ UNLOCK BYPASS PROGRAM COMMAND

– Faster Production/Batch Programming

■ TEMPORARY BLOCK UNPROTECTION

MODE

■ SECURITY MEMORY BLOCK

■ LOW POWER CONSUMPTION

– Standby and Automatic Standby

■ 100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per

BLOCK

■ ELECTRONIC SIGNATURE

– Manufacturer Code: 0020h

– Top Device Code M29W160DT: 22C4h

– Bottom Device Code M29W160DB: 2249h

January 2001

1/29

This is preliminary information on a new product now in development or undergoing evaluation. Details are subject to change without notice.

12 3 4 5 6 7...29

中文翻译

下载PDF

与M29W160DT70ZA6F相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
M29W160DT70ZA6T	STMICROELECTRONICS	获取价格	16 Mbit 2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block 3V Supply Flash Memory
M29W160DT90M1	STMICROELECTRONICS	获取价格	16 Mbit (2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M29W160DT90M1E	STMICROELECTRONICS	获取价格	16 Mbit (2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M29W160DT90M1F	STMICROELECTRONICS	获取价格	16 Mbit (2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M29W160DT90M1T	STMICROELECTRONICS	获取价格	16 Mbit 2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block 3V Supply Flash Memory
M29W160DT90M6	STMICROELECTRONICS	获取价格	16 Mbit (2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M29W160DT90M6E	STMICROELECTRONICS	获取价格	16 Mbit (2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M29W160DT90M6F	STMICROELECTRONICS	获取价格	16 Mbit (2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M29W160DT90M6T	STMICROELECTRONICS	获取价格	16 Mbit 2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block 3V Supply Flash Memory
M29W160DT90N1	STMICROELECTRONICS	获取价格	16 Mbit (2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory

与M29W160DT70ZA6F相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

21
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

20
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

44
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

38

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

M29W160DT70ZA6F

M29W160DT70ZA6F 技术参数

M29W160DT70ZA6F 数据手册

与M29W160DT70ZA6F相关器件

与M29W160DT70ZA6F相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

M29W160DT70ZA6F

M29W160DT70ZA6F 技术参数

M29W160DT70ZA6F 数据手册

与M29W160DT70ZA6F相关器件

与M29W160DT70ZA6F相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？