是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | TSOP |
包装说明: | TSSOP, TSSOP56,.8,20 | 针数: | 56 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | 3A991.B.1.A |
HTS代码: | 8542.32.00.51 | 风险等级: | 5.46 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 70 ns |
备用内存宽度: | 8 | 命令用户界面: | YES |
通用闪存接口: | YES | 数据轮询: | YES |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G56 | JESD-609代码: | e3 |
长度: | 18.4 mm | 内存密度: | 131072 bit |
内存集成电路类型: | FLASH | 内存宽度: | 16 |
功能数量: | 1 | 部门数/规模: | 128 |
端子数量: | 56 | 字数: | 8192 words |
字数代码: | 8000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 8KX16 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TSSOP | 封装等效代码: | TSSOP56,.8,20 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH |
页面大小: | 8/16 words | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 3/3.3 V |
编程电压: | 3 V | 认证状态: | Not Qualified |
就绪/忙碌: | YES | 筛选级别: | AEC-Q100 |
座面最大高度: | 1.2 mm | 部门规模: | 128K |
最大待机电流: | 0.0001 A | 子类别: | Flash Memories |
最大压摆率: | 0.02 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 2.7 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 0.5 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
切换位: | YES | 类型: | NOR TYPE |
宽度: | 14 mm | 最长写入周期时间 (tWC): | 0.00007 ms |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
M29W128GL70N6F | MICRON |
功能相似 |
128Mb (16Mb x8 or 8Mb x16), 3V, Page, Uniform Block, Parallel NOR Flash Memory | |
M29W128GH70N6F | MICRON |
功能相似 |
128Mb (16Mb x8 or 8Mb x16), 3V, Page, Uniform Block, Parallel NOR Flash Memory | |
M29W128GH70N6E | MICRON |
功能相似 |
128Mb (16Mb x8 or 8Mb x16), 3V, Page, Uniform Block, Parallel NOR Flash Memory |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
M29W128GL7AZA6E | MICRON |
获取价格 |
128Mb (16Mb x8 or 8Mb x16), 3V, Page, Uniform Block, Parallel NOR Flash Memory | |
M29W128GL7AZS6E | MICRON |
获取价格 |
128Mb (16Mb x8 or 8Mb x16), 3V, Page, Uniform Block, Parallel NOR Flash Memory | |
M29W128GL7AZS6F | MICRON |
获取价格 |
128Mb (16Mb x8 or 8Mb x16), 3V, Page, Uniform Block, Parallel NOR Flash Memory | |
M29W128GL90N6E | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
Flash, 8MX16, 90ns, PDSO56, 14 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP-56 | |
M29W128GL90N6E | MICRON |
获取价格 |
128Mb (16Mb x8 or 8Mb x16), 3V, Page, Uniform Block, Parallel NOR Flash Memory | |
M29W128GL90N6F | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
Flash, 8MX16, 90ns, PDSO56, 14 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP-56 | |
M29W128GL90ZA6E | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
8MX16 FLASH 3V PROM, 90ns, PBGA64, 10 X 13 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TBGA-64 | |
M29W128GL90ZA6F | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
8MX16 FLASH 3V PROM, 90ns, PBGA64, 10 X 13 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TBGA-64 | |
M29W128GSH70N6E | MICRON |
获取价格 |
128Mb (16Mb x8 or 8Mb x16), 3V, Page, Uniform Block, Parallel NOR Flash Memory | |
M29W128GSH70ZA6F | MICRON |
获取价格 |
128Mb (16Mb x8 or 8Mb x16), 3V, Page, Uniform Block, Parallel NOR Flash Memory |