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Datasheet > 存储 > 闪存> M29W128GL70N6F
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M29W128GL70N6F

更新时间： 2024-09-20 03:11:43
品牌 Logo 应用领域
恒忆 - NUMONYX 闪存内存集成电路光电二极管
页数 文件大小 规格书
94页 1789K
描述
128 Mbit (16 Mb x 8 or 8 Mb x 16, page, uniform block) 3 V supply Flash memory

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M29W128GL70N6F 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
零件包装代码：TSOP包装说明：TSOP1, TSSOP56,.8,20
针数：56Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：3A991.B.1.AHTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.43最长访问时间：70 ns
备用内存宽度：8命令用户界面：YES
通用闪存接口：YES数据轮询：YES
JESD-30 代码：R-PDSO-G56长度：18.4 mm
内存密度：134217728 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：16功能数量：1
部门数/规模：128端子数量：56
字数：8388608 words字数代码：8000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：8MX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP1
封装等效代码：TSSOP56,.8,20封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE页面大小：8/16 words
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：3/3.3 V编程电压：3 V
认证状态：Not Qualified就绪/忙碌：YES
座面最大高度：1.2 mm部门规模：128K
最大待机电流：0.0001 A子类别：Flash Memories
最大压摆率：0.02 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子形式：GULL WING
端子节距：0.5 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED切换位：YES
类型：NOR TYPE宽度：14 mm
Base Number Matches：1

M29W128GL70N6F 数据手册

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M29W128GH  
M29W128GL  
128 Mbit (16 Mb x 8 or 8 Mb x 16, page, uniform block)  
3 V supply Flash memory  
Features  
■ Supply voltage  
– V = 2.7 to 3.6 V for Program, Erase and  
CC  
Read  
– V  
– V  
= 1.65 to 3.6 V for I/O buffers  
CCQ  
PPH  
TSOP56 (N)  
14 x 20 mm  
= 12 V for Fast Program (optional)  
■ Asynchronous Random/Page Read  
– Page size: 8 words or 16 bytes  
– Page access: 25, 30 ns  
BGA  
– Random access: 60 (only available upon  
customer request) or 70, 80 ns  
TBGA64 (ZA)  
10 x 13 mm  
■ Fast Program commands  
– 32 words (64-byte write buffer)  
– Faster Production/Batch Programming  
– Faster Block and Chip Erase  
■ Enhanced Buffered Program commands  
– 256 words  
■ V /WP pin for Fast Program and Write:  
PP  
protects first or last block regardless of block  
protection settings  
■ Programming time  
– 16 µs per byte/word typical  
■ Software protection:  
– Volatile protection  
– Chip program time: 5 s with V  
and 8 s  
PPH  
without V  
PPH  
– Non-volatile protection  
– Password protection  
■ Memory organization  
– M29128GH/L: 128 main blocks,  
128 Kbytes/64 Kwords each  
■ Common Flash interface  
– 64 bit security code  
■ Program/Erase controller  
– Embedded byte/word program algorithms  
■ 128 word extended memory block  
– Extra block used as security block or to  
store additional information  
■ Program/ Erase Suspend and Resume  
– Read from any block during Program  
Suspend  
■ Low power consumption  
– Read and Program another block during  
Erase Suspend  
– Standby and automatic standby  
■ Minimum 100,000 Program/Erase cycles per  
■ Unlock Bypass/Block Erase/Chip Erase/Write  
to Buffer/Enhanced Buffered Program  
commands  
block  
®
■ ECOPACK packages  
Table 1.  
Device summary  
Root part number  
Device code  
M29W128GH: uniform, last block protected by VPP/WP  
M29W128GL: uniform, first block protected by VPP/WP  
227Eh + 2221h + 2201h  
227Eh + 2221h + 2200h  
March 2008  
Rev 4  
1/94  
www.numonyx.com  
1
1234567...94

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与M29W128GL70N6F相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M29W128GL70ZA3E MICRON

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 		128Mb (16Mb x8 or 8Mb x16), 3V, Page, Uniform Block, Parallel NOR Flash Memory
M29W128GL70ZA3F MICRON

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 		128Mb (16Mb x8 or 8Mb x16), 3V, Page, Uniform Block, Parallel NOR Flash Memory
M29W128GL70ZA6DE MICRON

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 		128Mb (16Mb x8 or 8Mb x16), 3V, Page, Uniform Block, Parallel NOR Flash Memory
M29W128GL70ZA6E NUMONYX

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 		128 Mbit (16 Mb x 8 or 8 Mb x 16, page, uniform block) 3 V supply Flash memory
M29W128GL70ZA6E MICRON

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 		128Mb (16Mb x8 or 8Mb x16), 3V, Page, Uniform Block, Parallel NOR Flash Memory
M29W128GL70ZA6F NUMONYX

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 		128 Mbit (16 Mb x 8 or 8 Mb x 16, page, uniform block) 3 V supply Flash memory
M29W128GL70ZA6F STMICROELECTRONICS

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 		8MX16 FLASH 3V PROM, 70ns, PBGA64, 10 X 13 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TBGA-64
M29W128GL70ZA6F MICRON

获取价格

 		128Mb (16Mb x8 or 8Mb x16), 3V, Page, Uniform Block, Parallel NOR Flash Memory
M29W128GL70ZS3E MICRON

获取价格

 		128Mb (16Mb x8 or 8Mb x16), 3V, Page, Uniform Block, Parallel NOR Flash Memory
M29W128GL70ZS3F MICRON

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 		128Mb (16Mb x8 or 8Mb x16), 3V, Page, Uniform Block, Parallel NOR Flash Memory

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