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Datasheet > 存储 > 闪存> M29W128GL60N6F
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M29W128GL60N6F

更新时间： 2024-09-20 03:11:43
品牌 Logo 应用领域
恒忆 - NUMONYX 闪存存储内存集成电路光电二极管
页数 文件大小 规格书
94页 1789K
描述
128 Mbit (16 Mb x 8 or 8 Mb x 16, page, uniform block) 3 V supply Flash memory

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M29W128GL60N6F 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TSOP
包装说明：TSOP1, TSSOP56,.8,20针数：56
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：3A991.B.1.A
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.46
最长访问时间：60 ns备用内存宽度：8
命令用户界面：YES通用闪存接口：YES
数据轮询：YESJESD-30 代码：R-PDSO-G56
长度：18.4 mm内存密度：134217728 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：16
功能数量：1部门数/规模：128
端子数量：56字数：8388608 words
字数代码：8000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：8MX16封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP1封装等效代码：TSSOP56,.8,20
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
页面大小：8/16 words并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：3/3.3 V
编程电压：3 V认证状态：Not Qualified
就绪/忙碌：YES座面最大高度：1.2 mm
部门规模：128K最大待机电流：0.0001 A
子类别：Flash Memories最大压摆率：0.02 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子形式：GULL WING端子节距：0.5 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
切换位：YES类型：NOR TYPE
宽度：14 mmBase Number Matches：1

M29W128GL60N6F 数据手册

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M29W128GH  
M29W128GL  
128 Mbit (16 Mb x 8 or 8 Mb x 16, page, uniform block)  
3 V supply Flash memory  
Features  
■ Supply voltage  
– V = 2.7 to 3.6 V for Program, Erase and  
CC  
Read  
– V  
– V  
= 1.65 to 3.6 V for I/O buffers  
CCQ  
PPH  
TSOP56 (N)  
14 x 20 mm  
= 12 V for Fast Program (optional)  
■ Asynchronous Random/Page Read  
– Page size: 8 words or 16 bytes  
– Page access: 25, 30 ns  
BGA  
– Random access: 60 (only available upon  
customer request) or 70, 80 ns  
TBGA64 (ZA)  
10 x 13 mm  
■ Fast Program commands  
– 32 words (64-byte write buffer)  
– Faster Production/Batch Programming  
– Faster Block and Chip Erase  
■ Enhanced Buffered Program commands  
– 256 words  
■ V /WP pin for Fast Program and Write:  
PP  
protects first or last block regardless of block  
protection settings  
■ Programming time  
– 16 µs per byte/word typical  
■ Software protection:  
– Volatile protection  
– Chip program time: 5 s with V  
and 8 s  
PPH  
without V  
PPH  
– Non-volatile protection  
– Password protection  
■ Memory organization  
– M29128GH/L: 128 main blocks,  
128 Kbytes/64 Kwords each  
■ Common Flash interface  
– 64 bit security code  
■ Program/Erase controller  
– Embedded byte/word program algorithms  
■ 128 word extended memory block  
– Extra block used as security block or to  
store additional information  
■ Program/ Erase Suspend and Resume  
– Read from any block during Program  
Suspend  
■ Low power consumption  
– Read and Program another block during  
Erase Suspend  
– Standby and automatic standby  
■ Minimum 100,000 Program/Erase cycles per  
■ Unlock Bypass/Block Erase/Chip Erase/Write  
to Buffer/Enhanced Buffered Program  
commands  
block  
®
■ ECOPACK packages  
Table 1.  
Device summary  
Root part number  
Device code  
M29W128GH: uniform, last block protected by VPP/WP  
M29W128GL: uniform, first block protected by VPP/WP  
227Eh + 2221h + 2201h  
227Eh + 2221h + 2200h  
March 2008  
Rev 4  
1/94  
www.numonyx.com  
1
1234567...94

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与M29W128GL60N6F相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M29W128GL60ZA6E NUMONYX

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 		128 Mbit (16 Mb x 8 or 8 Mb x 16, page, uniform block) 3 V supply Flash memory
M29W128GL60ZA6E MICRON

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 		128Mb (16Mb x8 or 8Mb x16), 3V, Page, Uniform Block, Parallel NOR Flash Memory
M29W128GL60ZA6F NUMONYX

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 		128 Mbit (16 Mb x 8 or 8 Mb x 16, page, uniform block) 3 V supply Flash memory
M29W128GL6AZS6E MICRON

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 		128Mb (16Mb x8 or 8Mb x16), 3V, Page, Uniform Block, Parallel NOR Flash Memory
M29W128GL70N3E MICRON

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 		128Mb (16Mb x8 or 8Mb x16), 3V, Page, Uniform Block, Parallel NOR Flash Memory
M29W128GL70N3F MICRON

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 		Anticipating electrostatic discharge (ESD) technology roadmap trends with ESD control hard
M29W128GL70N6E NUMONYX

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 		128 Mbit (16 Mb x 8 or 8 Mb x 16, page, uniform block) 3 V supply Flash memory
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 		128Mb (16Mb x8 or 8Mb x16), 3V, Page, Uniform Block, Parallel NOR Flash Memory
M29W128GL70N6F NUMONYX

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 		128 Mbit (16 Mb x 8 or 8 Mb x 16, page, uniform block) 3 V supply Flash memory
M29W128GL70N6F MICRON

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