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M29W102BB90N6

更新时间： 2024-11-08 13:10:03
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 闪存存储内存集成电路光电二极管
页数 文件大小 规格书
20页 155K
描述
64KX16 FLASH 2.7V PROM, 90ns, PDSO40, 10 X 14 MM, PLASTIC, TSOP-40

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M29W102BB90N6 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
零件包装代码：TSOP包装说明：10 X 14 MM, PLASTIC, TSOP-40
针数：40Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.52最长访问时间：90 ns
其他特性：BOTTOM BOOT BLOCK启动块：BOTTOM
命令用户界面：YES数据轮询：YES
JESD-30 代码：R-PDSO-G40JESD-609代码：e0
长度：12.4 mm内存密度：1048576 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：16
功能数量：1部门数/规模：1,2,1,1
端子数量：40字数：65536 words
字数代码：64000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：64KX16封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP1封装等效代码：TSSOP40,.56,20
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：PARALLEL电源：3/3.3 V
编程电压：2.7 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.2 mm部门规模：8K,4K,16K,32K
最大待机电流：0.0001 A子类别：Flash Memories
最大压摆率：0.02 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子节距：0.5 mm
端子位置：DUAL切换位：YES
类型：NOR TYPE宽度：10 mm
Base Number Matches：1

M29W102BB90N6 数据手册

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M29W102BT  
M29W102BB  
1 Mbit (64Kb x16, Boot Block)  
Low Voltage Single Supply Flash Memory  
■ SINGLE 2.7 to 3.6V SUPPLY VOLTAGE for  
PROGRAM, ERASE and READ OPERATIONS  
■ ACCESS TIME: 50ns  
■ PROGRAMMING TIME  
– 10µs per Word typical  
■ 5 MEMORY BLOCKS  
– 1 Boot Block (Top or Bottom Location)  
– 2 Parameter and 2 Main Blocks  
■ PROGRAM/ERASE CONTROLLER  
– Embedded Word Program algorithm  
– Embedded Multi-Block/Chip Erase algorithm  
– Status Register Polling and Toggle Bits  
■ ERASE SUSPEND and RESUME MODES  
TSOP40 (N)  
10 x 14mm  
Figure 1. Logic Diagram  
– Read and Program another Block during  
Erase Suspend  
■ UNLOCK BYPASS PROGRAM COMMAND  
V
CC  
– Faster Production/Batch Programming  
■ TEMPORARY BLOCK UNPROTECTION  
MODE  
16  
16  
■ LOW POWER CONSUMPTION  
A0-A15  
DQ0-DQ15  
– Standby and Automatic Standby  
W
E
■ 100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per  
BLOCK  
M29W102BT  
M29W102BB  
■ M28F102 COMPATIBLE  
G
– Pin-out and Read Mode  
RP  
■ 20 YEARS DATA RETENTION  
– Defectivity below 1 ppm/year  
■ ELECTRONIC SIGNATURE  
– Manufacturer Code: 0020h  
V
SS  
– Top Device Code M29W102BT: 0099h  
– Bottom Device Code M29W102BB: 0098h  
AI02785  
March 2000  
1/20  
1234567...20

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M29W102BB90N6T STMICROELECTRONICS

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 		1 Mbit 64Kb x16, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory
M29W102BT STMICROELECTRONICS

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 		1 Mbit 64Kb x16, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory
M29W102BT50N1 NUMONYX

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 		64KX16 FLASH 3V PROM, 50ns, PDSO40, 10 X 14 MM, PLASTIC, TSOP-40
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 		1 Mbit 64Kb x16, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory
M29W102BT50N6 NUMONYX

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 		64KX16 FLASH 3V PROM, 50ns, PDSO40, 10 X 14 MM, PLASTIC, TSOP-40
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 		1 Mbit 64Kb x16, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory
M29W102BT50XN6T STMICROELECTRONICS

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 		IC,EEPROM,NOR FLASH,64KX16,CMOS,TSSOP,40PIN,PLASTIC
M29W102BT70N1 STMICROELECTRONICS

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M29W102BT70N1T STMICROELECTRONICS

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 		1 Mbit 64Kb x16, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory
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