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M29W102BB50N1T PDF预览

M29W102BB50N1T

更新时间： 2024-11-07 22:26:23
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 闪存存储内存集成电路光电二极管
页数 文件大小 规格书
20页 155K
描述
1 Mbit 64Kb x16, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory

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M29W102BB50N1T 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
零件包装代码：TSOP包装说明：10 X 14 MM, PLASTIC, TSOP-40
针数：40Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.52Is Samacsys：N
最长访问时间：50 ns其他特性：BOTTOM BOOT BLOCK
启动块：BOTTOM命令用户界面：YES
数据轮询：YESJESD-30 代码：R-PDSO-G40
JESD-609代码：e0长度：12.4 mm
内存密度：1048576 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：16功能数量：1
部门数/规模：1,2,1,1端子数量：40
字数：65536 words字数代码：64000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：64KX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP1
封装等效代码：TSSOP40,.56,20封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行：PARALLEL
电源：3.3 V编程电压：3 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.2 mm
部门规模：8K,4K,16K,32K最大待机电流：0.0001 A
子类别：Flash Memories最大压摆率：0.02 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子节距：0.5 mm端子位置：DUAL
切换位：YES类型：NOR TYPE
宽度：10 mmBase Number Matches：1

M29W102BB50N1T 数据手册

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M29W102BT  
M29W102BB  
1 Mbit (64Kb x16, Boot Block)  
Low Voltage Single Supply Flash Memory  
■ SINGLE 2.7 to 3.6V SUPPLY VOLTAGE for  
PROGRAM, ERASE and READ OPERATIONS  
■ ACCESS TIME: 50ns  
■ PROGRAMMING TIME  
– 10µs per Word typical  
■ 5 MEMORY BLOCKS  
– 1 Boot Block (Top or Bottom Location)  
– 2 Parameter and 2 Main Blocks  
■ PROGRAM/ERASE CONTROLLER  
– Embedded Word Program algorithm  
– Embedded Multi-Block/Chip Erase algorithm  
– Status Register Polling and Toggle Bits  
■ ERASE SUSPEND and RESUME MODES  
TSOP40 (N)  
10 x 14mm  
Figure 1. Logic Diagram  
– Read and Program another Block during  
Erase Suspend  
■ UNLOCK BYPASS PROGRAM COMMAND  
V
CC  
– Faster Production/Batch Programming  
■ TEMPORARY BLOCK UNPROTECTION  
MODE  
16  
16  
■ LOW POWER CONSUMPTION  
A0-A15  
DQ0-DQ15  
– Standby and Automatic Standby  
W
E
■ 100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per  
BLOCK  
M29W102BT  
M29W102BB  
■ M28F102 COMPATIBLE  
G
– Pin-out and Read Mode  
RP  
■ 20 YEARS DATA RETENTION  
– Defectivity below 1 ppm/year  
■ ELECTRONIC SIGNATURE  
– Manufacturer Code: 0020h  
V
SS  
– Top Device Code M29W102BT: 0099h  
– Bottom Device Code M29W102BB: 0098h  
AI02785  
March 2000  
1/20  
1234567...20

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与M29W102BB50N1T相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M29W102BB50N6T STMICROELECTRONICS

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 		1 Mbit 64Kb x16, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory
M29W102BB70N1T STMICROELECTRONICS

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 		1 Mbit 64Kb x16, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory
M29W102BB70N6 NUMONYX

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 		Flash, 64KX16, 70ns, PDSO40, 10 X 14 MM, PLASTIC, TSOP-40
M29W102BB70N6T STMICROELECTRONICS

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 		64KX16 FLASH 3V PROM, 50ns, PDSO40, 10 X 14 MM, PLASTIC, TSOP-40
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