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M29W064FT70N3F PDF预览

M29W064FT70N3F

更新时间： 2024-09-21 15:18:15
品牌 Logo 应用领域
镁光 - MICRON /
页数 文件大小 规格书
70页 1269K
描述
64Mb (8Mb x8 or 4Mb x16), 3V, Page, Boot Block, Parallel NOR Flash Memory

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M29W064FT70N3F 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TSOP
包装说明：TSSOP, TSSOP48,.8,20针数：48
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：3A991.B.1.A
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.66
Is Samacsys：N最长访问时间：70 ns
其他特性：TOP BOOT BLOCK备用内存宽度：8
启动块：TOP命令用户界面：YES
通用闪存接口：YES数据轮询：YES
JESD-30 代码：R-PDSO-G48JESD-609代码：e3
长度：18.4 mm内存密度：67108864 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：16
功能数量：1部门数/规模：8,127
端子数量：48字数：4194304 words
字数代码：4000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
组织：4MX16封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSSOP封装等效代码：TSSOP48,.8,20
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
页面大小：4/8 words并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：3/3.3 V
编程电压：3 V认证状态：Not Qualified
就绪/忙碌：YES座面最大高度：1.2 mm
部门规模：8K,64K最大待机电流：0.0001 A
子类别：Flash Memories最大压摆率：0.01 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：AUTOMOTIVE
端子面层：MATTE TIN端子形式：GULL WING
端子节距：0.5 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30切换位：YES
类型：NOR TYPE宽度：12 mm
Base Number Matches：1

M29W064FT70N3F 数据手册

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M29W064FT  
M29W064FB  
64-Mbit (8 Mbit x8 or 4 Mbit x16, page, boot block)  
3 V supply flash memory  
Preliminary Data  
Features  
„ Supply voltage  
– VCC = 2.7 V to 3.6 V for program, erase,  
read  
– VPP =12 V for fast program (optional)  
„ Asynchronous random/page read  
– Page width: 4 words  
TSOP48 (N)  
12 x 20 mm  
– Page access: 25 ns  
– Random access: 60, 70 ns  
„ Programming time  
– 10 μs per byte/word typical  
– 4 words/8 bytes program  
FBGA  
„ 135 memory blocks  
TFBGA48 (ZA)  
6x8mm  
– 1 boot block and 7 parameter blocks,  
8 Kbytes each (top or bottom location)  
– 127 main blocks, 64 Kbytes each  
„ 100,000 program/erase cycles per block  
„ Program/erase controller  
„ Low power consumption  
– Embedded byte/word program algorithms  
– Standby and automatic standby  
„ Program/erase suspend and resume  
„ Electronic signature  
– Read from any block during program  
suspend  
– Manufacturer code: 0020h  
„ Automotive device grade 3  
– Read and program another block during  
erase suspend  
– Temperature: -40 to 125 °C  
– Automotive grade certified (AEC-Q100)  
„ Unlock Bypass Program command  
„ Automotive device grade 6  
– Faster production/batch programming  
– Temperature: -40 to 85 °C  
„ VPP/WP pin for fast program and write protect  
„ Temporary block unprotection mode  
– Automotive grade certified (AEC-Q100)  
„ RoHS compliant packages  
„ Common flash interface  
– 64-bit security code  
Table 1.  
Device summary  
Root part number  
Device code  
M29W064FT  
M29W064FB  
22EDh  
22FDh  
November 2008  
Rev 4  
1/69  
This is preliminary information on a new product now in development or undergoing evaluation. Details are subject to  
change without notice.  
www.numonyx.com  
1
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M29W064FT70N3F 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
M29W064FT70N3E MICRON

功能相似

 64Mb (8Mb x8 or 4Mb x16), 3V, Page, Boot Block, Parallel NOR Flash Memory

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M29W064FT90N3E NUMONYX

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 		64 Mbit (8 Mbit x 8 or 4 Mbit x 16, page, boot block) 3 V supply Flash memory
M29W064FT90N3F NUMONYX

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 		64 Mbit (8 Mbit x 8 or 4 Mbit x 16, page, boot block) 3 V supply Flash memory
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M29W102BB45XN6 STMICROELECTRONICS

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 		IC,EEPROM,NOR FLASH,64KX16,CMOS,TSSOP,40PIN,PLASTIC
M29W102BB50N1 STMICROELECTRONICS

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 		64KX16 FLASH 3V PROM, 50ns, PDSO40, 10 X 14 MM, PLASTIC, TSOP-40
M29W102BB50N1T STMICROELECTRONICS

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 		1 Mbit 64Kb x16, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory
M29W102BB70N6 NUMONYX

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 		Flash, 64KX16, 70ns, PDSO40, 10 X 14 MM, PLASTIC, TSOP-40

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