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M29W064FT70N3E

更新时间： 2024-09-20 05:01:07
品牌 Logo 应用领域
恒忆 - NUMONYX 闪存内存集成电路光电二极管
页数 文件大小 规格书
69页 1265K
描述
64 Mbit (8 Mbit x 8 or 4 Mbit x 16, page, boot block) 3 V supply Flash memory

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M29W064FT70N3E 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TSOP
包装说明：TSSOP, TSSOP48,.8,20针数：48
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：3A991.B.1.A
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.61
最长访问时间：70 ns其他特性：TOP BOOT BLOCK
备用内存宽度：8启动块：TOP
命令用户界面：YES通用闪存接口：YES
数据轮询：YESJESD-30 代码：R-PDSO-G48
长度：18.4 mm内存密度：67108864 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：16
功能数量：1部门数/规模：8,127
端子数量：48字数：4194304 words
字数代码：4000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
组织：4MX16封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSSOP封装等效代码：TSSOP48,.8,20
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
页面大小：4/8 words并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：3/3.3 V
编程电压：3 V认证状态：Not Qualified
就绪/忙碌：YES座面最大高度：1.2 mm
部门规模：8K,64K最大待机电流：0.0001 A
子类别：Flash Memories最大压摆率：0.01 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：AUTOMOTIVE
端子形式：GULL WING端子节距：0.5 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
切换位：YES类型：NOR TYPE
宽度：12 mmBase Number Matches：1

M29W064FT70N3E 数据手册

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M29W064FT  
M29W064FB  
64 Mbit (8 Mbit x 8 or 4 Mbit x 16, page, boot block)  
3 V supply Flash memory  
Preliminary Data  
Features  
■ Supply voltage  
– V = 2.7 V to 3.6 V for program, erase,  
CC  
read  
– V =12 V for fast program (optional)  
PP  
■ Asynchronous random/page read  
– Page width: 4 words  
– Page access: 25 ns  
– Random access: 60, 70 ns  
■ Programming time  
TSOP48 (N)  
12 x 20 mm  
– 10 µs per byte/word typical  
– 4 words/8 bytes program  
■ 135 memory blocks  
– 1 boot block and 7 parameter blocks,  
8 Kbytes each (top or bottom location)  
■ 100,000 program/erase cycles per block  
■ Extended memory block  
– 127 main blocks, 64 Kbytes each  
■ Program/erase controller  
– Extra block used as security block or to  
store additional information  
– Embedded byte/word program algorithms  
■ Program/erase suspend and resume  
■ Low power consumption  
– Read from any block during program  
suspend  
– Standby and automatic standby  
– Read and program another block during  
erase suspend  
■ Electronic signature  
– Manufacturer code: 0020h  
■ Unlock Bypass Program command  
■ Automotive device grade 3  
– Faster production/batch programming  
– Temperature: -40 to 125 °C  
■ V /WP pin for fast program and write protect  
– Automotive grade certified (AEC-Q100)  
PP  
®
■ Temporary block unprotection mode  
■ ECOPACK packages  
■ Common Flash interface  
– 64-bit security code  
Table 1.  
Device summary  
Root part number  
Device code  
M29W064FT  
M29W064FB  
22EDh  
22FDh  
March 2008  
Rev 2  
1/69  
This is preliminary information on a new product now in development or undergoing evaluation. Details are subject to  
change without notice.  
www.numonyx.com  
1
1234567...69

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M29W064FT70N3F NUMONYX

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 		64 Mbit (8 Mbit x 8 or 4 Mbit x 16, page, boot block) 3 V supply Flash memory
M29W064FT70N3F MICRON

获取价格

 		64Mb (8Mb x8 or 4Mb x16), 3V, Page, Boot Block, Parallel NOR Flash Memory
M29W064FT90N3E NUMONYX

获取价格

 		64 Mbit (8 Mbit x 8 or 4 Mbit x 16, page, boot block) 3 V supply Flash memory
M29W064FT90N3F NUMONYX

获取价格

 		64 Mbit (8 Mbit x 8 or 4 Mbit x 16, page, boot block) 3 V supply Flash memory
M29W102 STMICROELECTRONICS

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 		1 Mbit 64Kb x16, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory
M29W102BB STMICROELECTRONICS

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 		1 Mbit 64Kb x16, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory
M29W102BB45XN6 STMICROELECTRONICS

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 		IC,EEPROM,NOR FLASH,64KX16,CMOS,TSSOP,40PIN,PLASTIC
M29W102BB50N1 STMICROELECTRONICS

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 		64KX16 FLASH 3V PROM, 50ns, PDSO40, 10 X 14 MM, PLASTIC, TSOP-40
M29W102BB50N1T STMICROELECTRONICS

获取价格

 		1 Mbit 64Kb x16, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory
M29W102BB50N6T STMICROELECTRONICS

获取价格

 		1 Mbit 64Kb x16, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory

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