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Datasheet > 存储 > 闪存> M29W064FB70N3E
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M29W064FB70N3E

更新时间： 2024-09-20 03:36:07
品牌 Logo 应用领域
恒忆 - NUMONYX 闪存存储内存集成电路光电二极管
页数 文件大小 规格书
69页 1265K
描述
64 Mbit (8 Mbit x 8 or 4 Mbit x 16, page, boot block) 3 V supply Flash memory

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M29W064FB70N3E 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TSOP
包装说明：TSSOP, TSSOP48,.8,20针数：48
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：3A991.B.1.A
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.61
Is Samacsys：N最长访问时间：70 ns
其他特性：BOTTOM BOOT BLOCK备用内存宽度：8
启动块：BOTTOM命令用户界面：YES
通用闪存接口：YES数据轮询：YES
JESD-30 代码：R-PDSO-G48长度：18.4 mm
内存密度：67108864 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：16功能数量：1
部门数/规模：8,127端子数量：48
字数：4194304 words字数代码：4000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C组织：4MX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSSOP
封装等效代码：TSSOP48,.8,20封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH页面大小：4/8 words
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：3/3.3 V编程电压：3 V
认证状态：Not Qualified就绪/忙碌：YES
座面最大高度：1.2 mm部门规模：8K,64K
最大待机电流：0.0001 A子类别：Flash Memories
最大压摆率：0.01 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：AUTOMOTIVE端子形式：GULL WING
端子节距：0.5 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED切换位：YES
类型：NOR TYPE宽度：12 mm
Base Number Matches：1

M29W064FB70N3E 数据手册

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M29W064FT  
M29W064FB  
64 Mbit (8 Mbit x 8 or 4 Mbit x 16, page, boot block)  
3 V supply Flash memory  
Preliminary Data  
Features  
■ Supply voltage  
– V = 2.7 V to 3.6 V for program, erase,  
CC  
read  
– V =12 V for fast program (optional)  
PP  
■ Asynchronous random/page read  
– Page width: 4 words  
– Page access: 25 ns  
– Random access: 60, 70 ns  
■ Programming time  
TSOP48 (N)  
12 x 20 mm  
– 10 µs per byte/word typical  
– 4 words/8 bytes program  
■ 135 memory blocks  
– 1 boot block and 7 parameter blocks,  
8 Kbytes each (top or bottom location)  
■ 100,000 program/erase cycles per block  
■ Extended memory block  
– 127 main blocks, 64 Kbytes each  
■ Program/erase controller  
– Extra block used as security block or to  
store additional information  
– Embedded byte/word program algorithms  
■ Program/erase suspend and resume  
■ Low power consumption  
– Read from any block during program  
suspend  
– Standby and automatic standby  
– Read and program another block during  
erase suspend  
■ Electronic signature  
– Manufacturer code: 0020h  
■ Unlock Bypass Program command  
■ Automotive device grade 3  
– Faster production/batch programming  
– Temperature: -40 to 125 °C  
■ V /WP pin for fast program and write protect  
– Automotive grade certified (AEC-Q100)  
PP  
®
■ Temporary block unprotection mode  
■ ECOPACK packages  
■ Common Flash interface  
– 64-bit security code  
Table 1.  
Device summary  
Root part number  
Device code  
M29W064FT  
M29W064FB  
22EDh  
22FDh  
March 2008  
Rev 2  
1/69  
This is preliminary information on a new product now in development or undergoing evaluation. Details are subject to  
change without notice.  
www.numonyx.com  
1
1234567...69

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M29W064FB70N3F NUMONYX

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 		64 Mbit (8 Mbit x 8 or 4 Mbit x 16, page, boot block) 3 V supply Flash memory
M29W064FB70N3F MICRON

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 		64Mb (8Mb x8 or 4Mb x16), 3V, Page, Boot Block, Parallel NOR Flash Memory
M29W064FB90N3E NUMONYX

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 		64 Mbit (8 Mbit x 8 or 4 Mbit x 16, page, boot block) 3 V supply Flash memory
M29W064FB90N3F NUMONYX

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 		64 Mbit (8 Mbit x 8 or 4 Mbit x 16, page, boot block) 3 V supply Flash memory
M29W064FT NUMONYX

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M29W064FT6AZA6E MICRON

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 		64Mb (8Mb x8 or 4Mb x16), 3V, Page, Boot Block, Parallel NOR Flash Memory
M29W064FT70N3F NUMONYX

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