5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 存储 > 闪存> M29W040B90NZ6F
M29W040B90NZ6F PDF预览

M29W040B90NZ6F

更新时间： 2024-11-08 03:09:51
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 闪存
页数 文件大小 规格书
20页 436K
描述
4 Mbit 512Kb x8, Uniform Block Low Voltage Single Supply Flash Memory

阅读下载

中文翻译

获取价格

M29W040B90NZ6F 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP包装说明：8 X 14 MM, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP-32
针数：32Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.7最长访问时间：90 ns
命令用户界面：YES数据轮询：YES
耐久性：100000 Write/Erase CyclesJESD-30 代码：R-PDSO-G32
JESD-609代码：e3/e6长度：12.4 mm
内存密度：4194304 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：8功能数量：1
部门数/规模：8端子数量：32
字数：524288 words字数代码：512000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：512KX8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP1
封装等效代码：TSSOP32,.56,20封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：3/3.3 V
编程电压：2.7 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.2 mm部门规模：64K
最大待机电流：0.0001 A子类别：Flash Memories
最大压摆率：0.02 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：TIN/TIN BISMUTH
端子形式：GULL WING端子节距：0.5 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
切换位：YES类型：NOR TYPE
宽度：8 mmBase Number Matches：1

M29W040B90NZ6F 数据手册

 浏览型号M29W040B90NZ6F的Datasheet PDF文件第2页浏览型号M29W040B90NZ6F的Datasheet PDF文件第3页浏览型号M29W040B90NZ6F的Datasheet PDF文件第4页浏览型号M29W040B90NZ6F的Datasheet PDF文件第5页浏览型号M29W040B90NZ6F的Datasheet PDF文件第6页浏览型号M29W040B90NZ6F的Datasheet PDF文件第7页 
M29W040B  
4 Mbit (512Kb x8, Uniform Block)  
Low Voltage Single Supply Flash Memory  
■ SINGLE 2.7 to 3.6V SUPPLY VOLTAGE for  
PROGRAM, ERASE and READ OPERATIONS  
■ ACCESS TIME: 55ns  
■ PROGRAMMING TIME  
– 10µs per Byte typical  
■ 8 UNIFORM 64 Kbytes MEMORY BLOCKS  
■ PROGRAM/ERASE CONTROLLER  
– Embedded Byte Program algorithm  
– Embedded Multi-Block/Chip Erase algorithm  
– Status Register Polling and Toggle Bits  
■ ERASE SUSPEND and RESUME MODES  
PLCC32 (K)  
TSOP32 (N)  
8 x 20mm  
– Read and Program another Block during  
Erase Suspend  
TSOP32 (NZ)  
8 x 14mm  
■ UNLOCK BYPASS PROGRAM COMMAND  
– Faster Production/Batch Programming  
■ LOW POWER CONSUMPTION  
Figure 1. Logic Diagram  
– Standby and Automatic Standby  
■ 100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per  
BLOCK  
■ 20 YEARS DATA RETENTION  
– Defectivity below 1 ppm/year  
■ ELECTRONIC SIGNATURE  
– Manufacturer Code: 20h  
V
CC  
19  
8
– Device Code: E3h  
A0-A18  
DQ0-DQ7  
■ ECOPACK® PACKAGES AVAILABLE  
W
E
M29W040B  
G
V
SS  
AI02953  
September 2005  
1/20  
1234567...20

中文翻译

下载PDF

与M29W040B90NZ6F相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M29W040B90NZ6T STMICROELECTRONICS

获取价格

 		4 Mbit 512Kb x8, Uniform Block Low Voltage Single Supply Flash Memory
M29W064FB NUMONYX

获取价格

 		64 Mbit (8 Mbit x 8 or 4 Mbit x 16, page, boot block) 3 V supply Flash memory
M29W064FB6AZA6E MICRON

获取价格

 		64Mb (8Mb x8 or 4Mb x16), 3V, Page, Boot Block, Parallel NOR Flash Memory
M29W064FB6AZA6F MICRON

获取价格

 		64Mb (8Mb x8 or 4Mb x16), 3V, Page, Boot Block, Parallel NOR Flash Memory
M29W064FB70N3E NUMONYX

获取价格

 		64 Mbit (8 Mbit x 8 or 4 Mbit x 16, page, boot block) 3 V supply Flash memory
M29W064FB70N3E MICRON

获取价格

 		64Mb (8Mb x8 or 4Mb x16), 3V, Page, Boot Block, Parallel NOR Flash Memory
M29W064FB70N3F NUMONYX

获取价格

 		64 Mbit (8 Mbit x 8 or 4 Mbit x 16, page, boot block) 3 V supply Flash memory
M29W064FB70N3F MICRON

获取价格

 		64Mb (8Mb x8 or 4Mb x16), 3V, Page, Boot Block, Parallel NOR Flash Memory
M29W064FB90N3E NUMONYX

获取价格

 		64 Mbit (8 Mbit x 8 or 4 Mbit x 16, page, boot block) 3 V supply Flash memory
M29W064FB90N3F NUMONYX

获取价格

 		64 Mbit (8 Mbit x 8 or 4 Mbit x 16, page, boot block) 3 V supply Flash memory

与M29W040B90NZ6F相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证