Datasheet > 存储 > 闪存> M29W040B120NZ6F

M29W040B120NZ6F

更新时间： 2024-11-04 03:09:51

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		闪存存储内存集成电路光电二极管 ISM频段
页数	文件大小	规格书
20页	436K
描述
4 Mbit 512Kb x8, Uniform Block Low Voltage Single Supply Flash Memory

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

M29W040B120NZ6F 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP	包装说明：	8 X 14 MM, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP-32
针数：	32	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.7	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	90 ns	命令用户界面：	YES
数据轮询：	YES	耐久性：	100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：	R-PDSO-G32	JESD-609代码：	e3/e6
长度：	12.4 mm	内存密度：	4194304 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	8
功能数量：	1	部门数/规模：	8
端子数量：	32	字数：	524288 words
字数代码：	512000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	512KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP1	封装等效代码：	TSSOP32,.56,20
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	3/3.3 V	编程电压：	2.7 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
部门规模：	64K	最大待机电流：	0.0001 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.02 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	TIN/TIN BISMUTH	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	切换位：	YES
类型：	NOR TYPE	宽度：	8 mm
Base Number Matches：	1

M29W040B120NZ6F 数据手册

M29W040B

4 Mbit (512Kb x8, Uniform Block)

Low Voltage Single Supply Flash Memory

■ SINGLE 2.7 to 3.6V SUPPLY VOLTAGE for

PROGRAM, ERASE and READ OPERATIONS

■ ACCESS TIME: 55ns

■ PROGRAMMING TIME

– 10µs per Byte typical

■ 8 UNIFORM 64 Kbytes MEMORY BLOCKS

■ PROGRAM/ERASE CONTROLLER

– Embedded Byte Program algorithm

– Embedded Multi-Block/Chip Erase algorithm

– Status Register Polling and Toggle Bits

■ ERASE SUSPEND and RESUME MODES

PLCC32 (K)

TSOP32 (N)

8 x 20mm

– Read and Program another Block during

Erase Suspend

TSOP32 (NZ)

8 x 14mm

■ UNLOCK BYPASS PROGRAM COMMAND

– Faster Production/Batch Programming

■ LOW POWER CONSUMPTION

Figure 1. Logic Diagram

– Standby and Automatic Standby

■ 100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per

BLOCK

■ 20 YEARS DATA RETENTION

– Defectivity below 1 ppm/year

■ ELECTRONIC SIGNATURE

– Manufacturer Code: 20h

– Device Code: E3h

A0-A18

DQ0-DQ7

■ ECOPACK^®PACKAGES AVAILABLE

M29W040B

AI02953

September 2005

1/20

12 3 4 5 6 7...20

中文翻译

下载PDF

与M29W040B120NZ6F相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
M29W040B120NZ6T	STMICROELECTRONICS	获取价格	4 Mbit 512Kb x8, Uniform Block Low Voltage Single Supply Flash Memory
M29W040B55K1	STMICROELECTRONICS	获取价格	4 Mbit 512Kb x8, Uniform Block Low Voltage Single Supply Flash Memory
M29W040B55K1E	STMICROELECTRONICS	获取价格	4 Mbit 512Kb x8, Uniform Block Low Voltage Single Supply Flash Memory
M29W040B55K1F	STMICROELECTRONICS	获取价格	4 Mbit 512Kb x8, Uniform Block Low Voltage Single Supply Flash Memory
M29W040B55K1T	STMICROELECTRONICS	获取价格	4 Mbit 512Kb x8, Uniform Block Low Voltage Single Supply Flash Memory
M29W040B55K6	STMICROELECTRONICS	获取价格	4 Mbit 512Kb x8, Uniform Block Low Voltage Single Supply Flash Memory
M29W040B55K6E	STMICROELECTRONICS	获取价格	4 Mbit 512Kb x8, Uniform Block Low Voltage Single Supply Flash Memory
M29W040B55K6F	STMICROELECTRONICS	获取价格	4 Mbit 512Kb x8, Uniform Block Low Voltage Single Supply Flash Memory
M29W040B55K6T	STMICROELECTRONICS	获取价格	4 Mbit 512Kb x8, Uniform Block Low Voltage Single Supply Flash Memory
M29W040B55N1	STMICROELECTRONICS	获取价格	4 Mbit 512Kb x8, Uniform Block Low Voltage Single Supply Flash Memory

与M29W040B120NZ6F相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

13
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

7
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

35
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

31

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

M29W040B120NZ6F

M29W040B120NZ6F 技术参数

M29W040B120NZ6F 数据手册

与M29W040B120NZ6F相关器件

与M29W040B120NZ6F相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

M29W040B120NZ6F

M29W040B120NZ6F 技术参数

M29W040B120NZ6F 数据手册

与M29W040B120NZ6F相关器件

与M29W040B120NZ6F相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？