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Datasheet > 存储 > 闪存> M29W040B120K6
M29W040B120K6 PDF预览

M29W040B120K6

更新时间： 2024-11-04 05:01:07
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 闪存存储内存集成电路
页数 文件大小 规格书
20页 436K
描述
4 Mbit 512Kb x8, Uniform Block Low Voltage Single Supply Flash Memory

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M29W040B120K6 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：QFJ包装说明：PLASTIC, LCC-32
针数：32Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.85Is Samacsys：N
最长访问时间：90 ns命令用户界面：YES
数据轮询：YES耐久性：100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：R-PQCC-J32JESD-609代码：e0
长度：13.97 mm内存密度：4194304 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：8
功能数量：1部门数/规模：8
端子数量：32字数：524288 words
字数代码：512000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：512KX8封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：QCCJ封装等效代码：LDCC32,.5X.6
封装形状：RECTANGULAR封装形式：CHIP CARRIER
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：3/3.3 V编程电压：2.7 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：3.56 mm
部门规模：64K最大待机电流：0.0001 A
子类别：Flash Memories最大压摆率：0.02 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：TIN LEAD端子形式：J BEND
端子节距：1.27 mm端子位置：QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED切换位：YES
类型：NOR TYPE宽度：11.43 mm
Base Number Matches：1

M29W040B120K6 数据手册

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M29W040B  
4 Mbit (512Kb x8, Uniform Block)  
Low Voltage Single Supply Flash Memory  
■ SINGLE 2.7 to 3.6V SUPPLY VOLTAGE for  
PROGRAM, ERASE and READ OPERATIONS  
■ ACCESS TIME: 55ns  
■ PROGRAMMING TIME  
– 10µs per Byte typical  
■ 8 UNIFORM 64 Kbytes MEMORY BLOCKS  
■ PROGRAM/ERASE CONTROLLER  
– Embedded Byte Program algorithm  
– Embedded Multi-Block/Chip Erase algorithm  
– Status Register Polling and Toggle Bits  
■ ERASE SUSPEND and RESUME MODES  
PLCC32 (K)  
TSOP32 (N)  
8 x 20mm  
– Read and Program another Block during  
Erase Suspend  
TSOP32 (NZ)  
8 x 14mm  
■ UNLOCK BYPASS PROGRAM COMMAND  
– Faster Production/Batch Programming  
■ LOW POWER CONSUMPTION  
Figure 1. Logic Diagram  
– Standby and Automatic Standby  
■ 100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per  
BLOCK  
■ 20 YEARS DATA RETENTION  
– Defectivity below 1 ppm/year  
■ ELECTRONIC SIGNATURE  
– Manufacturer Code: 20h  
V
CC  
19  
8
– Device Code: E3h  
A0-A18  
DQ0-DQ7  
■ ECOPACK® PACKAGES AVAILABLE  
W
E
M29W040B  
G
V
SS  
AI02953  
September 2005  
1/20  
1234567...20

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M29W040B120K6 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MX29LV040CQC-90G Macronix

功能相似

 4M-BIT [512K x 8] CMOS SINGLE VOLTAGE 3V ONLY EQUAL SECTOR FLASH MEMORY
AM29LV040B-90JI AMD

功能相似

 4 Megabit (512 K x 8-Bit) CMOS 3.0 Volt-only, Uniform Sector 32-Pin Flash Memory
AM29LV040B-90JC AMD

功能相似

 4 Megabit (512 K x 8-Bit) CMOS 3.0 Volt-only, Uniform Sector 32-Pin Flash Memory

与M29W040B120K6相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M29W040B120K6E STMICROELECTRONICS

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 		4 Mbit 512Kb x8, Uniform Block Low Voltage Single Supply Flash Memory
M29W040B120K6F STMICROELECTRONICS

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 		4 Mbit 512Kb x8, Uniform Block Low Voltage Single Supply Flash Memory
M29W040B120K6T STMICROELECTRONICS

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 		4 Mbit 512Kb x8, Uniform Block Low Voltage Single Supply Flash Memory
M29W040B120N1 STMICROELECTRONICS

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 		4 Mbit 512Kb x8, Uniform Block Low Voltage Single Supply Flash Memory
M29W040B120N1E STMICROELECTRONICS

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 		4 Mbit 512Kb x8, Uniform Block Low Voltage Single Supply Flash Memory
M29W040B120N1F STMICROELECTRONICS

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 		4 Mbit 512Kb x8, Uniform Block Low Voltage Single Supply Flash Memory
M29W040B120N1T STMICROELECTRONICS

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M29W040B120N6 STMICROELECTRONICS

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