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M29W010B55K6F

更新时间： 2024-11-23 20:14:11
品牌 Logo 应用领域
恒忆 - NUMONYX 可编程只读存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
19页 406K
描述
128KX8 FLASH 2.7V PROM, 55ns, PQCC32, LEAD FREE, PLASTIC, LCC-32

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M29W010B55K6F 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：QFJ
包装说明：LEAD FREE, PLASTIC, LCC-32针数：32
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.41
最长访问时间：55 nsJESD-30 代码：R-PQCC-J32
JESD-609代码：e3长度：13.97 mm
内存密度：1048576 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：8功能数量：1
端子数量：32字数：131072 words
字数代码：128000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：128KX8封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：QCCJ封装形状：RECTANGULAR
封装形式：CHIP CARRIER并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：250编程电压：2.7 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：3.56 mm
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：MATTE TIN端子形式：J BEND
端子节距：1.27 mm端子位置：QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：40类型：NOR TYPE
宽度：11.43 mmBase Number Matches：1

M29W010B55K6F 数据手册

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M29W010B  
1 Mbit (128Kb x8, Uniform Block)  
Low Voltage Single Supply Flash Memory  
■ SINGLE 2.7 to 3.6V SUPPLY VOLTAGE for  
PROGRAM, ERASE and READ OPERATIONS  
■ ACCESS TIME: 45ns  
■ PROGRAMMING TIME  
– 10µs by Byte typical  
■ 8 UNIFORM 16 Kbyte MEMORY BLOCKS  
■ PROGRAM/ERASE CONTROLLER  
– Embedded Byte Program algorithm  
– Embedded Multi-Block/Chip Erase algorithm  
– Status Register Polling and Toggle Bits  
■ ERASE SUSPEND and RESUME MODES  
PLCC32 (K)  
TSOP32 (N)  
8 x 20mm  
– Read and Program another Block during  
Erase Suspend  
■ UNLOCK BYPASS PROGRAM COMMAND  
– Faster Production/Batch Programming  
■ LOW POWER CONSUMPTION  
Figure 1. Logic Diagram  
– Standby and Automatic Standby  
■ 100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per  
V
BLOCK  
CC  
■ 20 YEARS DATA RETENTION  
– Defectivity below 1 ppm/year  
■ ELECTRONIC SIGNATURE  
– Manufacturer Code: 20h  
17  
8
A0-A16  
DQ0-DQ7  
– Device Code: 23h  
■ ECOPACK® PACKAGES AVAILABLE  
W
M29W010B  
E
G
V
SS  
AI02747  
September 2005  
1/19  
1234567...19

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 		1 Mbit 128Kb x8, Uniform Block Low Voltage Single Supply Flash Memory
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