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Datasheet > 存储 > 闪存> M29W008B-100N1
M29W008B-100N1 PDF预览

M29W008B-100N1

更新时间： 2024-01-27 12:28:48
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 闪存存储内存集成电路光电二极管
页数 文件大小 规格书
30页 220K
描述
1MX8 FLASH 3V PROM, 100ns, PDSO40, 10 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-40

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M29W008B-100N1 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP包装说明：10 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-40
针数：40Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.33Is Samacsys：N
最长访问时间：100 ns其他特性：BOTTOM BOOT BLOCK
启动块：BOTTOM命令用户界面：YES
数据轮询：YES耐久性：100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：R-PDSO-G40JESD-609代码：e0
长度：18.4 mm内存密度：8388608 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：8
功能数量：1部门数/规模：1,2,1,15
端子数量：40字数：1048576 words
字数代码：1000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：1MX8输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP1
封装等效代码：TSSOP40,.8,20封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：3/3.3 V
编程电压：3 V认证状态：Not Qualified
就绪/忙碌：YES座面最大高度：1.2 mm
部门规模：16K,8K,32K,64K最大待机电流：0.0001 A
子类别：Flash Memories最大压摆率：0.02 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子节距：0.5 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED切换位：YES
类型：NOR TYPE宽度：10 mm
Base Number Matches：1

M29W008B-100N1 数据手册

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M29W008T  
M29W008B  
8 Mbit (1Mb x8, Boot Block)  
Low Voltage Single Supply Flash Memory  
NOT FOR NEW DESIGN  
M29W008T and M29W008B are replaced  
respectively by the M29W008AT and  
M29W008AB  
2.7V to 3.6V SUPPLY VOLTAGE for  
PROGRAM, ERASE and READ OPERATIONS  
FAST ACCESS TIME: 100ns  
FAST PROGRAMMING TIME: 10µs typical  
PROGRAM/ERASE CONTROLLER (P/E.C.)  
– Program Byte-by-Byte  
– Status Register bits and Ready/Busy Output  
MEMORY BLOCKS  
TSOP40 (N)  
10 x 20 mm  
– Boot Block (Top or Bottom location)  
– Parameter and Main blocks  
BLOCK, MULTI-BLOCK and CHIP ERASE  
MULTI BLOCK PROTECTION/TEMPORARY  
UNPROTECTION MODES  
ERASE SUSPEND and RESUME MODES  
– Read and Program another Block during  
Erase Suspend  
Figure 1. Logic Diagram  
LOW POWER CONSUMPTION  
– Stand-by and Automatic Stand-by  
100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per  
BLOCK  
V
CC  
20 YEARS DATA RETENTION  
– Defectivity below 1ppm/year  
ELECTRONIC SIGNATURE  
– Manufacturer Code: 20h  
– Device Code, M29W008T: D2h  
– Device Code, M29W008B: DCh  
20  
8
A0-A19  
DQ0-DQ7  
RB  
W
E
M29W008T  
M29W008B  
G
DESCRIPTION  
The M29W008 is a non-volatile memory that may  
be erased electrically at the block or chip level and  
programmed in-system on a Byte-by-Byte basis  
using only a single 2.7V to 3.6V VCC supply. For  
Program and Erase operations the necessary high  
voltages are generated internally. The device can  
also be programmed in standard programmers.  
RP  
V
SS  
AI02189  
The array matrix organisation allows each block to  
be erased and reprogrammed without affecting  
other blocks. Blocks can be protected against pro-  
graming and erase on programming equipment,  
and temporarily unprotected to make changes in  
June 1999  
1/30  
This is information on a product still in production but not recommended for new designs.  
1234567...30

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与M29W008B-100N1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M29W008B-100N1TR STMICROELECTRONICS

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 		8 Mbit 1Mb x8, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory
M29W008B-100N5TR STMICROELECTRONICS

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 		8 Mbit 1Mb x8, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory
M29W008B-100N6TR STMICROELECTRONICS

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 		8 Mbit 1Mb x8, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory
M29W008B-120N1 STMICROELECTRONICS

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 		暂无描述
M29W008B-120N1TR STMICROELECTRONICS

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 		8 Mbit 1Mb x8, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory
M29W008B-120N5TR STMICROELECTRONICS

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 		8 Mbit 1Mb x8, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory
M29W008B-120N6 STMICROELECTRONICS

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 		1MX8 FLASH 3V PROM, 120ns, PDSO40, 10 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-40
M29W008B-120N6TR STMICROELECTRONICS

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 		8 Mbit 1Mb x8, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory
M29W008B-150N1TR STMICROELECTRONICS

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 		8 Mbit 1Mb x8, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory
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 		8 Mbit 1Mb x8, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory

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