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Datasheet > 存储 > 闪存> M29W004BT120N6
M29W004BT120N6 PDF预览

M29W004BT120N6

更新时间： 2024-02-16 21:14:04
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 闪存存储内存集成电路光电二极管
页数 文件大小 规格书
20页 159K
描述
512KX8 FLASH 2.7V PROM, 90ns, PDSO40, 10 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-40

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M29W004BT120N6 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
零件包装代码：TSOP包装说明：10 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-40
针数：40Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.41最长访问时间：90 ns
其他特性：TOP BOOT BLOCK启动块：TOP
命令用户界面：YES数据轮询：YES
耐久性：100000 Write/Erase CyclesJESD-30 代码：R-PDSO-G40
JESD-609代码：e0长度：18.4 mm
内存密度：4194304 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：8功能数量：1
部门数/规模：1,2,1,7端子数量：40
字数：524288 words字数代码：512000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：512KX8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP1
封装等效代码：TSSOP40,.8,20封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行：PARALLEL
电源：3/3.3 V编程电压：2.7 V
认证状态：Not Qualified就绪/忙碌：YES
座面最大高度：1.2 mm部门规模：16K,8K,32K,64K
最大待机电流：0.0001 A子类别：Flash Memories
最大压摆率：0.02 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子节距：0.5 mm
端子位置：DUAL切换位：YES
类型：NOR TYPE宽度：10 mm
Base Number Matches：1

M29W004BT120N6 数据手册

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M29W004BT  
M29W004BB  
4 Mbit (512Kb x8, Boot Block)  
Low Voltage Single Supply Flash Memory  
■ SINGLE 2.7 to 3.6V SUPPLY VOLTAGE for  
PROGRAM, ERASE and READ OPERATIONS  
■ ACCESS TIME: 55ns  
■ PROGRAMMING TIME  
– 10µs by Byte typical  
■ 11 MEMORY BLOCKS  
– 1 Boot Block (Top or Bottom Location)  
– 2 Parameter and 8 Main Blocks  
■ PROGRAM/ERASE CONTROLLER  
– Embedded Byte Program algorithm  
– Embedded Multi-Block/Chip Erase algorithm  
– Status Register Polling and Toggle Bits  
– Ready/Busy Output Pin  
TSOP40 (N)  
10 x 20mm  
■ ERASE SUSPEND and RESUME MODES  
– Read and Program another Block during  
Erase Suspend  
Figure 1. Logic Diagram  
■ TEMPORARY BLOCK UNPROTECTION  
MODE  
V
CC  
■ UNLOCK BYPASS PROGRAM COMMAND  
– Faster Production/Batch Programming  
■ LOW POWER CONSUMPTION  
19  
8
– Standby and Automatic Standby  
A0-A18  
DQ0-DQ7  
RB  
■ 100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per  
W
E
BLOCK  
M29W004BT  
M29W004BB  
■ 20 YEARS DATA RETENTION  
– Defectivity below 1 ppm/year  
■ ELECTRONIC SIGNATURE  
G
RP  
– Manufacturer Code: 20h  
– Top Device Code M29W004BT: EAh  
– Bottom Device Code M29W004BB: EBh  
V
SS  
AI02954  
March 2000  
1/20  
1234567...20

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M29W004BT120N6T STMICROELECTRONICS

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 		4 Mbit 512Kb x8, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory
M29W004BT55N1T STMICROELECTRONICS

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M29W004BT90N6 STMICROELECTRONICS

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M29W004BT90N6T STMICROELECTRONICS

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 		4 Mbit 512Kb x8, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory
M29W004T STMICROELECTRONICS

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 		4 Mbit 512Kb x8, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory
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