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M29W004BB55N1T

更新时间： 2024-11-06 22:57:39

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		闪存存储内存集成电路光电二极管
页数	文件大小	规格书
20页	159K
描述
4 Mbit 512Kb x8, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory

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M29W004BB55N1T 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TSOP	包装说明：	10 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-40
针数：	40	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.51	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	55 ns	其他特性：	BOTTOM BOOT BLOCK
启动块：	BOTTOM	命令用户界面：	YES
数据轮询：	YES	耐久性：	100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：	R-PDSO-G40	JESD-609代码：	e0
长度：	18.4 mm	内存密度：	4194304 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	8
功能数量：	1	部门数/规模：	1,2,1,7
端子数量：	40	字数：	524288 words
字数代码：	512000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	512KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP1	封装等效代码：	TSSOP40,.8,20
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	电源：	3.3 V
编程电压：	3 V	认证状态：	Not Qualified
就绪/忙碌：	YES	座面最大高度：	1.2 mm
部门规模：	16K,8K,32K,64K	最大待机电流：	0.0001 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.02 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	DUAL
切换位：	YES	类型：	NOR TYPE
宽度：	10 mm	Base Number Matches：	1

M29W004BB55N1T 数据手册

M29W004BT

M29W004BB

4 Mbit (512Kb x8, Boot Block)

Low Voltage Single Supply Flash Memory

■ SINGLE 2.7 to 3.6V SUPPLY VOLTAGE for

PROGRAM, ERASE and READ OPERATIONS

■ ACCESS TIME: 55ns

■ PROGRAMMING TIME

– 10µs by Byte typical

■ 11 MEMORY BLOCKS

– 1 Boot Block (Top or Bottom Location)

– 2 Parameter and 8 Main Blocks

■ PROGRAM/ERASE CONTROLLER

– Embedded Byte Program algorithm

– Embedded Multi-Block/Chip Erase algorithm

– Status Register Polling and Toggle Bits

– Ready/Busy Output Pin

TSOP40 (N)

10 x 20mm

■ ERASE SUSPEND and RESUME MODES

– Read and Program another Block during

Erase Suspend

Figure 1. Logic Diagram

■ TEMPORARY BLOCK UNPROTECTION

MODE

■ UNLOCK BYPASS PROGRAM COMMAND

– Faster Production/Batch Programming

■ LOW POWER CONSUMPTION

– Standby and Automatic Standby

A0-A18

DQ0-DQ7

■ 100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per

BLOCK

M29W004BT

M29W004BB

■ 20 YEARS DATA RETENTION

– Defectivity below 1 ppm/year

■ ELECTRONIC SIGNATURE

– Manufacturer Code: 20h

– Top Device Code M29W004BT: EAh

– Bottom Device Code M29W004BB: EBh

AI02954

March 2000

1/20

12 3 4 5 6 7...20

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