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M29R008T-120N5TR

更新时间: 2024-11-27 14:43:19
品牌 Logo 应用领域
恒忆 - NUMONYX 光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
2页 61K
描述
Flash, 1MX8, 120ns, PDSO40, 10 X 20 MM, TSOP-40

M29R008T-120N5TR 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TSOP
包装说明:10 X 20 MM, TSOP-40针数:40
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.51风险等级:5.24
最长访问时间:120 nsJESD-30 代码:R-PDSO-G40
长度:18.4 mm内存密度:8388608 bit
内存集成电路类型:FLASH内存宽度:8
功能数量:1端子数量:40
字数:1048576 words字数代码:1000000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-20 °C组织:1MX8
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP1
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行:PARALLEL编程电压:3 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:1.2 mm
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):2.7 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:OTHER端子形式:GULL WING
端子节距:0.5 mm端子位置:DUAL
类型:NOR TYPE宽度:10 mm
Base Number Matches:1

M29R008T-120N5TR 数据手册

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