Datasheet > 存储 > 闪存> M29F800AT90N3T

M29F800AT90N3T

更新时间： 2024-02-03 11:17:22

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		闪存存储内存集成电路光电二极管
页数	文件大小	规格书
21页	144K
描述
8 Mbit 1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block Single Supply Flash Memory

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

M29F800AT90N3T 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TSOP
包装说明：	12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48	针数：	48
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.21
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	90 ns
其他特性：	TOP BOOT BLOCK	备用内存宽度：	8
启动块：	TOP	JESD-30 代码：	R-PDSO-G48
长度：	18.4 mm	内存密度：	8388608 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	16
功能数量：	1	端子数量：	48
字数：	524288 words	字数代码：	512000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	512KX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP1
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	编程电压：	5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	AUTOMOTIVE
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	DUAL	类型：	NOR TYPE
宽度：	12 mm	Base Number Matches：	1

M29F800AT90N3T 数据手册

M29F800AT

M29F800AB

8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block)

Single Supply Flash Memory

PRELIMINARY DATA

■ SINGLE 5V±10% SUPPLY VOLTAGE for

PROGRAM, ERASE and READ OPERATIONS

■ ACCESS TIME: 70ns

■ PROGRAMMING TIME

– 8µs per Byte/Word typical

■ 19 MEMORY BLOCKS

– 1 Boot Block (Top or Bottom Location)

– 2 Parameter and 16 Main Blocks

■ PROGRAM/ERASE CONTROLLER

– Embedded Byte/Word Program algorithm

– Embedded Multi-Block/Chip Erase algorithm

– Status Register Polling and Toggle Bits

– Ready/Busy Output Pin

TSOP48 (N)

12 x 20mm

SO44 (M)

Figure 1. Logic Diagram

■ ERASE SUSPEND and RESUME MODES

– Read and Program another Block during

Erase Suspend

■ TEMPORARY BLOCK UNPROTECTION

MODE

■ LOW POWER CONSUMPTION

– Standby and Automatic Standby

A0-A18

DQ0-DQ14

■ 100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per

BLOCK

DQ15A–1

BYTE

■ 20 YEARS DATA RETENTION

– Defectivity below 1 ppm/year

■ ELECTRONIC SIGNATURE

– Manufacturer Code: 0020h

M29F800AT

M29F800AB

– M29F800AT Device Code: 00ECh

– M29F800AB Device Code: 0058h

AI02198B

January 2000

1/21

This is preliminary information on a new product now in development or undergoing evaluation. Details are subject to change without notice.

12 3 4 5 6 7...21

中文翻译

下载PDF

与M29F800AT90N3T相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
M29F800AT90N3TR	STMICROELECTRONICS	获取价格	512KX16 FLASH 5V PROM, 90ns, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48
M29F800AT90N6	NUMONYX	获取价格	Flash, 512KX16, 90ns, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48
M29F800AT90N6T	STMICROELECTRONICS	获取价格	8 Mbit 1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block Single Supply Flash Memory
M29F800AT90N6TR	STMICROELECTRONICS	获取价格	512KX16 FLASH 5V PROM, 90ns, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48
M29F800D	STMICROELECTRONICS	获取价格	8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 5V Supply Flash Memory
M29F800DB	STMICROELECTRONICS	获取价格	8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 5V Supply Flash Memory
M29F800DB55M1E	STMICROELECTRONICS	获取价格	8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 5V Supply Flash Memory
M29F800DB55M1F	STMICROELECTRONICS	获取价格	8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 5V Supply Flash Memory
M29F800DB55M1T	STMICROELECTRONICS	获取价格	8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 5V Supply Flash Memory
M29F800DB55M1T	NUMONYX	获取价格	Flash, 512KX16, 55ns, PDSO44, 0.525 INCH, PLASTIC, SO-44

与M29F800AT90N3T相关文章

BSS138LT3G：一款高效能N沟道MOSFET的全面解析
2024-07-04

10
解读EGP10B二极管资料手册：产品特性、参数分析
2024-07-04

10
RT9164AGG手册资料详解：引脚信息、设计指南
2024-07-04

12
2SA1037KPT资料详解：产品特性、电气参数、设计指南
2024-07-04

15

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

M29F800AT90N3T

M29F800AT90N3T 技术参数

M29F800AT90N3T 数据手册

与M29F800AT90N3T相关器件

与M29F800AT90N3T相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

M29F800AT90N3T

M29F800AT90N3T 技术参数

M29F800AT90N3T 数据手册

与M29F800AT90N3T相关器件

与M29F800AT90N3T相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？