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M29F400FB55M3E2

更新时间: 2024-11-03 15:17:43
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镁光 - MICRON /
页数 文件大小 规格书
56页 679K
描述
Top/Bottom Boot Block, 5V, Parallel NOR Flash Memory

M29F400FB55M3E2 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:SOIC
包装说明:SOP, SOP44,.63针数:44
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.51风险等级:5.73
最长访问时间:55 ns其他特性:BOTTOM BOOT BLOCK
备用内存宽度:8启动块:BOTTOM
命令用户界面:YES通用闪存接口:YES
数据轮询:YESJESD-30 代码:R-PDSO-G44
长度:28.5 mm内存密度:4194304 bit
内存集成电路类型:FLASH内存宽度:16
功能数量:1部门数/规模:1,2,1,7
端子数量:44字数:262144 words
字数代码:256000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-40 °C
组织:256KX16封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOP封装等效代码:SOP44,.63
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:5 V编程电压:5 V
认证状态:Not Qualified就绪/忙碌:YES
筛选级别:AEC-Q100座面最大高度:3 mm
部门规模:16K,8K,32K,64K最大待机电流:0.00012 A
子类别:Flash Memories最大压摆率:0.03 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:AUTOMOTIVE
端子形式:GULL WING端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
切换位:YES类型:NOR TYPE
宽度:12.6 mmBase Number Matches:1

M29F400FB55M3E2 数据手册

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M29FxxxFT/B  
Features  
Micron Parallel NOR Flash Embedded  
Memory  
Top/Bottom Boot Block 5V Supply  
M29F200FT/B, M29F400FT/B, M29F800FT/B, M29F160FT/B  
• RoHS-compliant packages  
– TSOP48  
– SO44 (16Mb not available for this package)  
• Automotive device grade 3  
Temperature: –40 to +125°C  
Features  
• Supply voltage  
– VCC = 5V  
• Access time: 55ns  
• Program/erase controller  
– Embedded byte/word program algorithms  
• Erase suspend and resume modes  
• Low power consumption  
– Standby and automatic standby  
• 100,000 PROGRAM/ERASE cycles per block  
• Electronic signature  
• Automotive device grade 6  
Temperature: –40 to +85°C  
• Automotive grade certified (AEC-Q100)  
– Manufacturer code: 0x01h  
Top device codes  
– M29F200FT: 0x2251  
– M29F400FT: 0x2223  
– M29F800FT: 0x22D6  
– M29F160FT: 0x22D2  
• Bottom device codes  
– M29F200FB: 0x2257  
– M29F400FB: 0x22AB  
– M29F800FB: 0x2258  
– M29F160FB: 0x22D8  
CCMTD-1725822587-8401  
m29fxxxf/t_2mb-16mb.pdf - Rev. C 5/18 EN  
Micron Technology, Inc. reserves the right to change products or specifications without notice.  
1
© 2013 Micron Technology, Inc. All rights reserved.  
Products and specifications discussed herein are subject to change by Micron without notice.  

M29F400FB55M3E2 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
M29F400FB55M3F2 MICRON

完全替代

Top/Bottom Boot Block, 5V, Parallel NOR Flash Memory
M29F400FB55M32 MICRON

完全替代

Top/Bottom Boot Block, 5V, Parallel NOR Flash Memory
M29F400FB55M3T2 MICRON

功能相似

Top/Bottom Boot Block, 5V, Parallel NOR Flash Memory

与M29F400FB55M3E2相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M29F400FB55M3F2 MICRON

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Top/Bottom Boot Block, 5V, Parallel NOR Flash Memory
M29F400FB55M3T2 MICRON

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Top/Bottom Boot Block, 5V, Parallel NOR Flash Memory
M29F400FB55M6S2 NUMONYX

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Flash, 256KX16, 55ns, PDSO44, 0.500 INCH, PLASTIC, SOP-44
M29F400FB55N3E2 MICRON

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Top/Bottom Boot Block, 5V, Parallel NOR Flash Memory
M29F400FB55N3F2 NUMONYX

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Flash, 256KX16, 55ns, PDSO48, 12 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP1-48
M29F400FB55N3F2 MICRON

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Top/Bottom Boot Block, 5V, Parallel NOR Flash Memory
M29F400FB55N6S2 NUMONYX

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Flash, 256KX16, 55ns, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP1-48
M29F400FB55N6T2 NUMONYX

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Flash, 256KX16, 55ns, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP1-48
M29F400FB5AM62 MICRON

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Top/Bottom Boot Block, 5V, Parallel NOR Flash Memory
M29F400FB5AM6F2 MICRON

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Top/Bottom Boot Block, 5V, Parallel NOR Flash Memory