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M29F400BT45M1F

更新时间： 2024-11-05 05:27:27

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		闪存内存集成电路光电二极管
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40页	320K
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4 Mbit (512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block) single supply Flash memory

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M29F400BT45M1F 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	SOIC	包装说明：	0.525 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, SOP-44
针数：	44	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.31	最长访问时间：	45 ns
其他特性：	TOP BOOT BLOCK	备用内存宽度：	8
启动块：	TOP	命令用户界面：	YES
数据轮询：	YES	耐久性：	100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：	R-PDSO-G44	长度：	28.2 mm
内存密度：	4194304 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	16	功能数量：	1
部门数/规模：	1,2,1,7	端子数量：	44
字数：	262144 words	字数代码：	256000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	256KX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOP
封装等效代码：	SOP44,.63	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	245	电源：	5 V
编程电压：	5 V	认证状态：	Not Qualified
就绪/忙碌：	YES	座面最大高度：	2.62 mm
部门规模：	16K,8K,32K,64K	最大待机电流：	0.0001 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.02 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
切换位：	YES	类型：	NOR TYPE
宽度：	13.3 mm

M29F400BT45M1F 数据手册

M29F400BT

M29F400BB

4 Mbit (512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block)

single supply Flash memory

Feature summary

■ Single 5 V ± 10% supply voltage for program,

erase and read operations

■ Access time: 45 ns

■ Programming time

– 8 µs per Byte/Word typical

TSOP48 (N)

12 x 20mm

■ 11 memory blocks

– 1 Boot Block (Top or Bottom Location)

– 2 Parameter and 8 Main Blocks

■ Program/erase controller

– Embedded Byte/Word Program algorithm

– Embedded Multi-Block/Chip Erase

algorithm

– Status Register Polling and Toggle Bits

– Ready/Busy Output Pin

■ Erase Suspend and Resume modes

SO44 (MT)

– Read and Program another Block during

Erase Suspend

■ Unlock Bypass Program command

■ Electronic signature

– Faster Production/Batch Programming

– Manufacturer Code: 0020h

■ Temporary block unprotection mode

– Top Device Code M29F400BT: 00D5h

– Bottom Device Code M29F400BB: 00D6h

■ Low power consumption

– Standby and Automatic Standby

■ ECOPACK packages available

■ 100,000 program/erase cycles per block

■ 20-year data retention

– Defectivity below 1 ppm/year

December 2006

Rev 4

1/40

www.st.com

12 3 4 5 6 7...40

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