M29F400BB70M3E

更新时间： 2024-11-04 05:27:27

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		闪存存储内存集成电路光电二极管
页数	文件大小	规格书
40页	320K
描述
4 Mbit (512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block) single supply Flash memory

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

M29F400BB70M3E 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	SOIC	包装说明：	SOP, SOP44,.63
针数：	44	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.08	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	70 ns	其他特性：	BOTTOM BOOT BLOCK
备用内存宽度：	8	启动块：	BOTTOM
命令用户界面：	YES	数据轮询：	YES
耐久性：	100000 Write/Erase Cycles	JESD-30 代码：	R-PDSO-G44
长度：	28.2 mm	内存密度：	4194304 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	16
功能数量：	1	部门数/规模：	1,2,1,7
端子数量：	44	字数：	262144 words
字数代码：	256000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	256KX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOP	封装等效代码：	SOP44,.63
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	245
电源：	5 V	编程电压：	5 V
认证状态：	Not Qualified	就绪/忙碌：	YES
座面最大高度：	2.62 mm	部门规模：	16K,8K,32K,64K
最大待机电流：	0.0001 A	子类别：	Flash Memories
最大压摆率：	0.02 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	AUTOMOTIVE	端子形式：	GULL WING
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	切换位：	YES
类型：	NOR TYPE	宽度：	13.3 mm
Base Number Matches：	1

M29F400BB70M3E 数据手册

M29F400BT

M29F400BB

4 Mbit (512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block)

single supply Flash memory

Feature summary

■ Single 5 V ± 10% supply voltage for program,

erase and read operations

■ Access time: 45 ns

■ Programming time

– 8 µs per Byte/Word typical

TSOP48 (N)

12 x 20mm

■ 11 memory blocks

– 1 Boot Block (Top or Bottom Location)

– 2 Parameter and 8 Main Blocks

■ Program/erase controller

– Embedded Byte/Word Program algorithm

– Embedded Multi-Block/Chip Erase

algorithm

– Status Register Polling and Toggle Bits

– Ready/Busy Output Pin

■ Erase Suspend and Resume modes

SO44 (MT)

– Read and Program another Block during

Erase Suspend

■ Unlock Bypass Program command

■ Electronic signature

– Faster Production/Batch Programming

– Manufacturer Code: 0020h

■ Temporary block unprotection mode

– Top Device Code M29F400BT: 00D5h

– Bottom Device Code M29F400BB: 00D6h

■ Low power consumption

– Standby and Automatic Standby

■ ECOPACK packages available

■ 100,000 program/erase cycles per block

■ 20-year data retention

– Defectivity below 1 ppm/year

December 2006

Rev 4

1/40

www.st.com

12 3 4 5 6 7...40

中文翻译

下载PDF

与M29F400BB70M3E相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
M29F400BB70M3F	STMICROELECTRONICS	获取价格	4 Mbit (512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block) single supply Flash memory
M29F400BB70M3T	STMICROELECTRONICS	获取价格	4 Mbit 512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block Single Supply Flash Memory
M29F400BB-70M3T	STMICROELECTRONICS	获取价格	4 Mbit 512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block Single Supply Flash Memory
M29F400BB70M6	STMICROELECTRONICS	获取价格	4 Mbit 512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block Single Supply Flash Memory
M29F400BB-70M6	STMICROELECTRONICS	获取价格	4 Mbit 512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block Single Supply Flash Memory
M29F400BB70M6E	STMICROELECTRONICS	获取价格	4 Mbit (512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block) single supply Flash memory
M29F400BB70M6F	STMICROELECTRONICS	获取价格	4 Mbit (512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block) single supply Flash memory
M29F400BB70M6T	STMICROELECTRONICS	获取价格	4 Mbit 512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block Single Supply Flash Memory
M29F400BB-70M6T	STMICROELECTRONICS	获取价格	4 Mbit 512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block Single Supply Flash Memory
M29F400BB70MT1E	NUMONYX	获取价格	Flash, 256KX16, 70ns, PDSO44, 0.500 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, SOP-44

与M29F400BB70M3E相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

13
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

7
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

35
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

31

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

M29F400BB70M3E

M29F400BB70M3E 技术参数

M29F400BB70M3E 数据手册

与M29F400BB70M3E相关器件

与M29F400BB70M3E相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

M29F400BB70M3E

M29F400BB70M3E 技术参数

M29F400BB70M3E 数据手册

与M29F400BB70M3E相关器件

与M29F400BB70M3E相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？