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M29F400B-55M1R

更新时间： 2024-11-29 22:55:59
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 闪存
页数 文件大小 规格书
34页 232K
描述
4 Mbit 512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block Single Supply Flash Memory

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M29F400B-55M1R 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOIC
包装说明：0.525 INCH, PLASTIC, SOP-44针数：44
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.09
最长访问时间：55 ns其他特性：BOTTOM BOOT BLOCK
备用内存宽度：8启动块：BOTTOM
JESD-30 代码：R-PDSO-G44长度：28.2 mm
内存密度：4194304 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：16功能数量：1
端子数量：44字数：262144 words
字数代码：256000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：256KX16封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOP封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE并行/串行：PARALLEL
编程电压：5 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：2.62 mm最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子形式：GULL WING
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
类型：NOR TYPE宽度：13.3 mm
Base Number Matches：1

M29F400B-55M1R 数据手册

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M29F400T  
M29F400B  
4 Mbit (512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block)  
Single Supply Flash Memory  
NOT FOR NEW DESIGN  
M29F400T and M29F400B are replaced  
respectively by the M29F400BT and  
M29F400BB  
5V±10% SUPPLY VOLTAGE for PROGRAM,  
ERASE and READOPERATIONS  
FAST ACCESS TIME: 55ns  
44  
FAST PROGRAMMING TIME  
– 10µs by Byte / 16µs by Word typical  
PROGRAM/ERASE CONTROLLER (P/E.C.)  
– Program Byte-by-Byte or Word-by-Word  
– Status Register bits and Ready/Busy Output  
MEMORY BLOCKS  
1
TSOP48 (N)  
12 x 20 mm  
SO44 (M)  
– Boot Block (Top or Bottom location)  
– Parameter and Main blocks  
BLOCK, MULTI-BLOCK and CHIP ERASE  
MULTI-BLOCK PROTECTION/TEMPORARY  
UNPROTECTION MODES  
ERASE SUSPEND and RESUME MODES  
Figure 1. Logic Diagram  
– Read and Program another Block during  
Erase Suspend  
LOW POWER CONSUMPTION  
– Stand-by and Automatic Stand-by  
100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per  
BLOCK  
V
CC  
20 YEARS DATA RETENTION  
– Defectivity below 1ppm/year  
ELECTRONIC SIGNATURE  
18  
15  
A0-A17  
DQ0-DQ14  
– Manufacturer Code: 0020h  
– Device Code, M29F400T: 00D5h  
– Device Code, M29F400B: 00D6h  
W
E
DQ15A–1  
BYTE  
RB  
M29F400T  
M29F400B  
G
DESCRIPTION  
RP  
The M29F400 is a non-volatile memory that may  
be erased electrically at the block or chip level and  
programmed in-system on a Byte-by-Byte or Word-  
by-Word basis using only a single 5V VCC supply.  
For Program and Erase operations the necessary  
high voltages are generated internally. The device  
can also be programmed in standard program-  
mers.  
V
SS  
AI01726B  
The array matrix organisation allows each block to  
be erased and reprogrammed without affecting  
other blocks. Blocks can be protected against pro-  
November 1999  
1/34  
This is information on a productstil l in production but not recommendedfor new designs.  
1234567...34

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与M29F400B-55M1R相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M29F400B-55M1TR STMICROELECTRONICS

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 		4 Mbit 512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block Single Supply Flash Memory
M29F400B-55M3R STMICROELECTRONICS

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 		4 Mbit 512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block Single Supply Flash Memory
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 		4 Mbit 512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block Single Supply Flash Memory
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 		4 Mbit 512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block Single Supply Flash Memory
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 		4 Mbit 512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block Single Supply Flash Memory
M29F400B-55N1 STMICROELECTRONICS

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 		256KX16 FLASH 5V PROM, 55ns, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48
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 		4 Mbit 512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block Single Supply Flash Memory
M29F400B-55N1RTR STMICROELECTRONICS

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 		256KX16 FLASH 5V PROM, 55ns, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, REVERSE, TSOP-48
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 		4 Mbit 512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block Single Supply Flash Memory
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