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M29F400B-120M6R

更新时间： 2024-02-02 23:08:31
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 闪存存储内存集成电路光电二极管
页数 文件大小 规格书
34页 232K
描述
4 Mbit 512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block Single Supply Flash Memory

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M29F400B-120M6R 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOIC包装说明：0.525 INCH, PLASTIC, SOP-44
针数：44Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.69Is Samacsys：N
最长访问时间：120 ns其他特性：BOTTOM BOOT BLOCK
备用内存宽度：8启动块：BOTTOM
命令用户界面：YES数据轮询：YES
耐久性：100000 Write/Erase CyclesJESD-30 代码：R-PDSO-G44
JESD-609代码：e0长度：28.2 mm
内存密度：4194304 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：16功能数量：1
部门数/规模：1,2,1,7端子数量：44
字数：262144 words字数代码：256000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：256KX16
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOP封装等效代码：SOP44,.63
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：5 V编程电压：5 V
认证状态：Not Qualified就绪/忙碌：YES
座面最大高度：2.62 mm部门规模：16K,8K,32K,64K
最大待机电流：0.0001 A子类别：Flash Memories
最大压摆率：0.02 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
切换位：YES类型：NOR TYPE
宽度：13.3 mmBase Number Matches：1

M29F400B-120M6R 数据手册

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M29F400T  
M29F400B  
4 Mbit (512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block)  
Single Supply Flash Memory  
NOT FOR NEW DESIGN  
M29F400T and M29F400B are replaced  
respectively by the M29F400BT and  
M29F400BB  
5V±10% SUPPLY VOLTAGE for PROGRAM,  
ERASE and READOPERATIONS  
FAST ACCESS TIME: 55ns  
44  
FAST PROGRAMMING TIME  
– 10µs by Byte / 16µs by Word typical  
PROGRAM/ERASE CONTROLLER (P/E.C.)  
– Program Byte-by-Byte or Word-by-Word  
– Status Register bits and Ready/Busy Output  
MEMORY BLOCKS  
1
TSOP48 (N)  
12 x 20 mm  
SO44 (M)  
– Boot Block (Top or Bottom location)  
– Parameter and Main blocks  
BLOCK, MULTI-BLOCK and CHIP ERASE  
MULTI-BLOCK PROTECTION/TEMPORARY  
UNPROTECTION MODES  
ERASE SUSPEND and RESUME MODES  
Figure 1. Logic Diagram  
– Read and Program another Block during  
Erase Suspend  
LOW POWER CONSUMPTION  
– Stand-by and Automatic Stand-by  
100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per  
BLOCK  
V
CC  
20 YEARS DATA RETENTION  
– Defectivity below 1ppm/year  
ELECTRONIC SIGNATURE  
18  
15  
A0-A17  
DQ0-DQ14  
– Manufacturer Code: 0020h  
– Device Code, M29F400T: 00D5h  
– Device Code, M29F400B: 00D6h  
W
E
DQ15A–1  
BYTE  
RB  
M29F400T  
M29F400B  
G
DESCRIPTION  
RP  
The M29F400 is a non-volatile memory that may  
be erased electrically at the block or chip level and  
programmed in-system on a Byte-by-Byte or Word-  
by-Word basis using only a single 5V VCC supply.  
For Program and Erase operations the necessary  
high voltages are generated internally. The device  
can also be programmed in standard program-  
mers.  
V
SS  
AI01726B  
The array matrix organisation allows each block to  
be erased and reprogrammed without affecting  
other blocks. Blocks can be protected against pro-  
November 1999  
1/34  
This is information on a productstil l in production but not recommendedfor new designs.  
1234567...34

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M29F400B-120M6TR STMICROELECTRONICS

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 		4 Mbit 512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block Single Supply Flash Memory
M29F400B-120N1R STMICROELECTRONICS

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 		4 Mbit 512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block Single Supply Flash Memory
M29F400B-120N1RTR STMICROELECTRONICS

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 		4 Mbit 512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block Single Supply Flash Memory
M29F400B-120N3R STMICROELECTRONICS

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 		4 Mbit 512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block Single Supply Flash Memory
M29F400B-120N3RTR STMICROELECTRONICS

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 		4 Mbit 512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block Single Supply Flash Memory
M29F400B-120N6R STMICROELECTRONICS

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 		4 Mbit 512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block Single Supply Flash Memory
M29F400B-120N6RTR STMICROELECTRONICS

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 		256KX16 FLASH 5V PROM, 120ns, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, REVERSE, TSOP-48
M29F400B-120N6TR STMICROELECTRONICS

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 		4 Mbit 512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block Single Supply Flash Memory

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