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M29F200FB55M3F2

更新时间: 2024-12-01 20:57:27
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恒忆 - NUMONYX 光电二极管内存集成电路闪存
页数 文件大小 规格书
65页 1669K
描述
Flash, 128KX16, 55ns, PDSO44, 0.500 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SOP-44

M29F200FB55M3F2 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Transferred
零件包装代码:SOIC包装说明:SOP, SOP44,.63
针数:44Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.51
风险等级:5.15最长访问时间:55 ns
其他特性:BOTTOM BOOT BLOCK备用内存宽度:8
启动块:BOTTOM命令用户界面:YES
通用闪存接口:YES数据轮询:YES
JESD-30 代码:R-PDSO-G44长度:28.5 mm
内存密度:2097152 bit内存集成电路类型:FLASH
内存宽度:16功能数量:1
部门数/规模:1,2,1,3端子数量:44
字数:131072 words字数代码:128000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-40 °C组织:128KX16
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOP
封装等效代码:SOP44,.63封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:5 V
编程电压:5 V认证状态:Not Qualified
就绪/忙碌:YES筛选级别:AEC-Q100
座面最大高度:3 mm部门规模:16K,8K,32K,64K
最大待机电流:0.00012 A子类别:Flash Memories
最大压摆率:0.03 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:AUTOMOTIVE端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED切换位:YES
类型:NOR TYPE宽度:12.6 mm
Base Number Matches:1

M29F200FB55M3F2 数据手册

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M29F 200FT, 400FT, 800FT, 160FT  
M29F 200FB, 400FB, 800FB, 160FB  
Top / Bottom Boot Block  
5 V Supply Flash Memory  
Features  
„ Supply voltage  
– VCC = 5 V  
„ Access time: 55 ns  
„ Program / Erase controller  
– Embedded byte/word program algorithms  
TSOP48 (N)  
12 x 20 mm  
„ Erase Suspend and Resume modes  
„ Low power consumption  
– Standby and Automatic Standby  
„ 100,000 Program/Erase cycles per block  
„ Electronic signature  
– Manufacturer code: 0x01  
Top Device codes:  
M29F200FT: 0x2251  
M29F400FT: 0x2223  
M29F800FT: 0x22D6  
M29F160FT: 0x22D2  
SO44 (M)  
– Bottom Device codes:  
„ Automotive device grade 3:  
M29F200FB: 0x2257  
M29F400FB: 0x22AB  
M29F800FB: 0x2258  
M29F160FB: 0x22D8  
Temperature: –40 to 125 °C  
„ Automotive device grade 6:  
Temperature: –40 to 85 °C  
„ Automotive grade certified (AEC-Q100)  
„ RoHS packages available  
– SO44  
– TSOP48  
April 2009  
Rev 3  
1/65  
www.numonyx.com  
1

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