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M29F200BT70MT6F

更新时间： 2024-02-01 01:41:42

品牌	Logo	应用领域
恒忆 - NUMONYX		光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
29页	583K
描述
Flash, 128KX16, 70ns, PDSO44, 0.500 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, SO-44

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M29F200BT70MT6F 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	SOIC	包装说明：	0.500 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, SO-44
针数：	44	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.14	最长访问时间：	70 ns
其他特性：	TOP BOOT BLOCK	备用内存宽度：	8
启动块：	TOP	命令用户界面：	YES
数据轮询：	YES	耐久性：	100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：	R-PDSO-G44	长度：	28.5 mm
内存密度：	2097152 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	16	功能数量：	1
部门数/规模：	1,2,1,3	端子数量：	44
字数：	131072 words	字数代码：	128000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	128KX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOP
封装等效代码：	SOP44,.63	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	245	电源：	5 V
编程电压：	5 V	认证状态：	Not Qualified
就绪/忙碌：	YES	座面最大高度：	3 mm
部门规模：	16K,8K,32K,64K	最大待机电流：	0.0001 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.02 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
切换位：	YES	类型：	NOR TYPE
宽度：	12.6 mm	Base Number Matches：	1

M29F200BT70MT6F 数据手册

M29F200BT

M29F200BB

2 Mbit (256Kb x8 or 128Kb x16, Boot Block)

Single Supply Flash Memory

FEATURES SUMMARY

■

SINGLE 5V±10% SUPPLY VOLTAGE for

Figure 1. Packages

PROGRAM, ERASE and READ

OPERATIONS

■

ACCESS TIME: 45, 50, 70, 90ns

PROGRAMMING TIME

–

8µs per Byte/Word typical

■ 7 MEMORY BLOCKS

–

1 Boot Block (Top or Bottom Location)

2 Parameter and 4 Main Blocks

TSOP48 (N)

12 x 20mm

■ PROGRAM/ERASE CONTROLLER

–

Embedded Byte/Word Program algorithm

Embedded Multi-Block/Chip Erase

algorithm

–

Status Register Polling and Toggle Bits

Ready/Busy Output Pin

■ ERASE SUSPEND and RESUME MODES

–

Read and Program another Block during

Erase Suspend

■ UNLOCK BYPASS PROGRAM COMMAND

Faster Production/Batch Programming

SO44 (MT)

–

■ TEMPORARY BLOCK UNPROTECTION

MODE

■ LOW POWER CONSUMPTION

–

Standby and Automatic Standby

■ 100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per

BLOCK

■ 20 YEARS DATA RETENTION

–

Defectivity below 1 ppm/year

■ ELECTRONIC SIGNATURE

–

Manufacturer Code: 0020h

Top Device Code M29F200BT: 00D3h

Bottom Device CodeM29F200BB: 00D4h

■

ECOPACK^®PACKAGES AVAILABLE

September 2005

1/29

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
M29F200BT70MT6T	NUMONYX	获取价格	Flash, 128KX16, 70ns, PDSO44, 0.500 INCH, PLASTIC, SO-44
M29F200BT70N1	STMICROELECTRONICS	获取价格	128KX16 FLASH 5V PROM, 70ns, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48
M29F200BT70N1F	NUMONYX	获取价格	Flash, 128KX16, 70ns, PDSO48, 12 X 20 MM, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP-48
M29F200BT70N1T	STMICROELECTRONICS	获取价格	2 Mbit 256Kb x8 or 128Kb x16, Boot Block Single Supply Flash Memory
M29F200BT70N3	STMICROELECTRONICS	获取价格	128KX16 FLASH 5V PROM, 70ns, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48
M29F200BT70N3F	NUMONYX	获取价格	Flash, 128KX16, 70ns, PDSO48, 12 X 20 MM, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP-48
M29F200BT70N3T	STMICROELECTRONICS	获取价格	2 Mbit 256Kb x8 or 128Kb x16, Boot Block Single Supply Flash Memory
M29F200BT70N6	NUMONYX	获取价格	128KX16 FLASH 5V PROM, 70ns, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48
M29F200BT70N6E	NUMONYX	获取价格	128KX16 FLASH 5V PROM, 70ns, PDSO48, 12 X 20 MM, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP-48
M29F200BT70N6F	NUMONYX	获取价格	Flash, 128KX16, 70ns, PDSO48, 12 X 20 MM, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP-48

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