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M29F200BT55M3T

更新时间： 2024-01-24 00:31:55

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		闪存存储内存集成电路光电二极管
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22页	147K
描述
2 Mbit 256Kb x8 or 128Kb x16, Boot Block Single Supply Flash Memory

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M29F200BT55M3T 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	SOIC	包装说明：	0.525 INCH, PLASTIC, SO-44
针数：	44	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.15	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	55 ns	其他特性：	TOP BOOT BLOCK
备用内存宽度：	8	启动块：	TOP
命令用户界面：	YES	数据轮询：	YES
耐久性：	100000 Write/Erase Cycles	JESD-30 代码：	R-PDSO-G44
JESD-609代码：	e3	长度：	28.2 mm
内存密度：	2097152 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	16	功能数量：	1
部门数/规模：	1,2,1,3	端子数量：	44
字数：	131072 words	字数代码：	128000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	128KX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOP
封装等效代码：	SOP44,.63	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	并行/串行：	PARALLEL
电源：	5 V	编程电压：	5 V
认证状态：	Not Qualified	就绪/忙碌：	YES
座面最大高度：	2.62 mm	部门规模：	16K,8K,32K,64K
最大待机电流：	0.0001 A	子类别：	Flash Memories
最大压摆率：	0.02 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	AUTOMOTIVE	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	切换位：	YES
类型：	NOR TYPE	宽度：	13.3 mm
Base Number Matches：	1

M29F200BT55M3T 数据手册

M29F200BT

M29F200BB

2 Mbit (256Kb x8 or 128Kb x16, Boot Block)

Single Supply Flash Memory

PRELIMINARY DATA

■ SINGLE 5V±10% SUPPLY VOLTAGE for

PROGRAM, ERASE and READ OPERATIONS

■ ACCESS TIME: 45ns

■ PROGRAMMING TIME

– 8µs per Byte/Word typical

■ 7 MEMORY BLOCKS

– 1 Boot Block (Top or Bottom Location)

– 2 Parameter and 4 Main Blocks

■ PROGRAM/ERASE CONTROLLER

– Embedded Byte/Word Program algorithm

– Embedded Multi-Block/Chip Erase algorithm

– Status Register Polling and Toggle Bits

– Ready/Busy Output Pin

TSOP48 (N)

12 x 20mm

SO44 (M)

Figure 1. Logic Diagram

■ ERASE SUSPEND and RESUME MODES

– Read and Program another Block during

Erase Suspend

■ UNLOCK BYPASS PROGRAM COMMAND

– Faster Production/Batch Programming

■ TEMPORARY BLOCK UNPROTECTION

MODE

A0-A16

DQ0-DQ14

■ LOW POWER CONSUMPTION

– Standby and Automatic Standby

DQ15A–1

BYTE

■ 100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per

M29F200BT

M29F200BB

BLOCK

■ 20 YEARS DATA RETENTION

– Defectivity below 1 ppm/year

■ ELECTRONIC SIGNATURE

– Manufacturer Code: 0020h

– M29F200BT Device Code: 00D3h

– M29F200BB Device Code: 00D4h

AI02912

October 1999

1/22

This is preliminary information on a new product now in development or undergoing evaluation. Details are subject to change without notice.

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