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M29F200BT45N1F

更新时间： 2024-02-19 21:25:42

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		闪存存储内存集成电路光电二极管
页数	文件大小	规格书
22页	147K
描述
128KX16 FLASH 5V PROM, 45ns, PDSO48, 12 X 20 MM, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP-48

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M29F200BT45N1F 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TSOP	包装说明：	12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48
针数：	48	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.2	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	45 ns	其他特性：	TOP BOOT BLOCK
备用内存宽度：	8	启动块：	TOP
命令用户界面：	YES	数据轮询：	YES
耐久性：	100000 Write/Erase Cycles	JESD-30 代码：	R-PDSO-G48
JESD-609代码：	e0	长度：	18.4 mm
内存密度：	2097152 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	16	功能数量：	1
部门数/规模：	1,2,1,3	端子数量：	48
字数：	131072 words	字数代码：	128000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	128KX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSSOP
封装等效代码：	TSSOP48,.8,20	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	5 V
编程电压：	5 V	认证状态：	Not Qualified
就绪/忙碌：	YES	座面最大高度：	1.2 mm
部门规模：	16K,8K,32K,64K	最大待机电流：	0.0001 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.02 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	切换位：	YES
类型：	NOR TYPE	宽度：	12 mm
Base Number Matches：	1

M29F200BT45N1F 数据手册

M29F200BT

M29F200BB

2 Mbit (256Kb x8 or 128Kb x16, Boot Block)

Single Supply Flash Memory

PRELIMINARY DATA

■ SINGLE 5V±10% SUPPLY VOLTAGE for

PROGRAM, ERASE and READ OPERATIONS

■ ACCESS TIME: 45ns

■ PROGRAMMING TIME

– 8µs per Byte/Word typical

■ 7 MEMORY BLOCKS

– 1 Boot Block (Top or Bottom Location)

– 2 Parameter and 4 Main Blocks

■ PROGRAM/ERASE CONTROLLER

– Embedded Byte/Word Program algorithm

– Embedded Multi-Block/Chip Erase algorithm

– Status Register Polling and Toggle Bits

– Ready/Busy Output Pin

TSOP48 (N)

12 x 20mm

SO44 (M)

Figure 1. Logic Diagram

■ ERASE SUSPEND and RESUME MODES

– Read and Program another Block during

Erase Suspend

■ UNLOCK BYPASS PROGRAM COMMAND

– Faster Production/Batch Programming

■ TEMPORARY BLOCK UNPROTECTION

MODE

A0-A16

DQ0-DQ14

■ LOW POWER CONSUMPTION

– Standby and Automatic Standby

DQ15A–1

BYTE

■ 100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per

M29F200BT

M29F200BB

BLOCK

■ 20 YEARS DATA RETENTION

– Defectivity below 1 ppm/year

■ ELECTRONIC SIGNATURE

– Manufacturer Code: 0020h

– M29F200BT Device Code: 00D3h

– M29F200BB Device Code: 00D4h

AI02912

October 1999

1/22

This is preliminary information on a new product now in development or undergoing evaluation. Details are subject to change without notice.

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
M29F200BT45N1T	STMICROELECTRONICS	获取价格	2 Mbit 256Kb x8 or 128Kb x16, Boot Block Single Supply Flash Memory
M29F200BT45N3	NUMONYX	获取价格	Flash, 128KX16, 45ns, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48
M29F200BT45N3E	NUMONYX	获取价格	128KX16 FLASH 5V PROM, 45ns, PDSO48, 12 X 20 MM, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP-48
M29F200BT45N3F	NUMONYX	获取价格	128KX16 FLASH 5V PROM, 45ns, PDSO48, 12 X 20 MM, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP-48
M29F200BT45N3T	STMICROELECTRONICS	获取价格	2 Mbit 256Kb x8 or 128Kb x16, Boot Block Single Supply Flash Memory
M29F200BT45N6	NUMONYX	获取价格	128KX16 FLASH 5V PROM, 45ns, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48
M29F200BT45N6F	NUMONYX	获取价格	Flash, 128KX16, 45ns, PDSO48, 12 X 20 MM, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP-48
M29F200BT45N6T	STMICROELECTRONICS	获取价格	2 Mbit 256Kb x8 or 128Kb x16, Boot Block Single Supply Flash Memory
M29F200BT55M1T	STMICROELECTRONICS	获取价格	2 Mbit 256Kb x8 or 128Kb x16, Boot Block Single Supply Flash Memory
M29F200BT55M3T	STMICROELECTRONICS	获取价格	2 Mbit 256Kb x8 or 128Kb x16, Boot Block Single Supply Flash Memory

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