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M29F200BB70N6E

更新时间： 2024-02-10 08:46:39

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		可编程只读存储器 ISM频段光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
39页	307K
描述
128KX16 FLASH 5V PROM, 70ns, PDSO48, 12 X 20 MM, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP-48

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M29F200BB70N6E 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP	包装说明：	12 X 20 MM, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP-48
针数：	48	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.59	最长访问时间：	70 ns
其他特性：	BOTTOM BOOT BLOCK	备用内存宽度：	8
启动块：	BOTTOM	命令用户界面：	YES
数据轮询：	YES	耐久性：	100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：	R-PDSO-G48	JESD-609代码：	e3/e6
长度：	18.4 mm	内存密度：	2097152 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	16
功能数量：	1	部门数/规模：	1,2,1,3
端子数量：	48	字数：	131072 words
字数代码：	128000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	128KX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSSOP	封装等效代码：	TSSOP48,.8,20
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	5 V	编程电压：	5 V
认证状态：	Not Qualified	就绪/忙碌：	YES
座面最大高度：	1.2 mm	部门规模：	16K,8K,32K,64K
最大待机电流：	0.0001 A	子类别：	Flash Memories
最大压摆率：	0.02 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	MATTE TIN/TIN BISMUTH
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
切换位：	YES	类型：	NOR TYPE
宽度：	12 mm	Base Number Matches：	1

M29F200BB70N6E 数据手册

M29F200BT

M29F200BB

2 Mbit (256Kb x8 or 128Kb x16, Boot Block)

Single Supply Flash Memory

Features

■ Single 5V±10% supply voltage for Program,

Erase and Read operations

■ Access time: 45, 50, 70, 90ns

■ Programming time

– 8µs per Byte/Word typical

TSOP48 (N)

12 x 20mm

■ 7 memory blocks

– 1 Boot Block (Top or Bottom location)

– 2 parameter and 4 main blocks

■ Program/Erase controller

– Embedded Byte/Word Program algorithm

– Embedded Multi-Block/Chip Erase

algorithm

– Status Register polling and toggle bits

– Ready/Busy output pin

■ Erase Suspend and Resume modes

– Read and Program another block during

Erase Suspend

SO44 (M)

■ Unlock Bypass Program command

– Faster Production/Batch Programming

■ Temporary Block Unprotection mode

■ Low power consumption

– Standby and Automatic Standby

■ 100,000 Program/Erase cycles per block

■ 20 years data retention

– Defectivity below 1 ppm/year

■ Electronic Signature

– Manufacturer code: 0020h

– Top Device code M29F200BT: 00D3h

– Bottom Device code: M29F200BB: 00D4h

■ ECOPACK packages available

March 2007

Rev 5

1/39

www.st.com

12 3 4 5 6 7...39

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与M29F200BB70N6E相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
M29F200BB70N6F	NUMONYX	获取价格	128KX16 FLASH 5V PROM, 70ns, PDSO48, 12 X 20 MM, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP-48
M29F200BB70N6T	STMICROELECTRONICS	获取价格	2 Mbit 256Kb x8 or 128Kb x16, Boot Block Single Supply Flash Memory
M29F200BB90M1	NUMONYX	获取价格	Flash, 128KX16, 90ns, PDSO44, 0.525 INCH, PLASTIC, SOP-44
M29F200BB90M1E	STMICROELECTRONICS	获取价格	128KX16 FLASH 5V PROM, 90ns, PDSO44, 0.525 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, SOP-44
M29F200BB90M1F	NUMONYX	获取价格	Flash, 128KX16, 90ns, PDSO44, 0.525 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, SOP-44
M29F200BB90M1T	STMICROELECTRONICS	获取价格	2 Mbit 256Kb x8 or 128Kb x16, Boot Block Single Supply Flash Memory
M29F200BB90M3	NUMONYX	获取价格	Flash, 128KX16, 90ns, PDSO44, 0.525 INCH, PLASTIC, SOP-44
M29F200BB90M3F	NUMONYX	获取价格	Flash, 128KX16, 90ns, PDSO44, 0.525 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, SOP-44
M29F200BB90M3T	STMICROELECTRONICS	获取价格	2 Mbit 256Kb x8 or 128Kb x16, Boot Block Single Supply Flash Memory
M29F200BB90M6	NUMONYX	获取价格	128KX16 FLASH 5V PROM, 90ns, PDSO44, 0.525 INCH, PLASTIC, SOP-44

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