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M29F200BB70M6

更新时间： 2024-09-21 21:20:39
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 可编程只读存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
110页 697K
描述
128KX16 FLASH 5V PROM, 70ns, PDSO44, 0.525 INCH, PLASTIC, SOP-44

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M29F200BB70M6 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
零件包装代码：SOIC包装说明：0.525 INCH, PLASTIC, SOP-44
针数：44Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.13最长访问时间：70 ns
其他特性：BOTTOM BOOT BLOCK备用内存宽度：8
启动块：BOTTOM命令用户界面：YES
数据轮询：YES耐久性：100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：R-PDSO-G44JESD-609代码：e3
长度：28.5 mm内存密度：2097152 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：16
功能数量：1部门数/规模：1,2,1,3
端子数量：44字数：131072 words
字数代码：128000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：128KX16封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOP封装等效代码：SOP44,.63
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
并行/串行：PARALLEL电源：5 V
编程电压：5 V认证状态：Not Qualified
就绪/忙碌：YES座面最大高度：3 mm
部门规模：16K,8K,32K,64K最大待机电流：0.0001 A
子类别：Flash Memories最大压摆率：0.02 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
切换位：YES类型：NOR TYPE
宽度：12.6 mmBase Number Matches：1

M29F200BB70M6 数据手册

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PSD813F2, PSD833F2  
PSD834F2, PSD853F2, PSD854F2  
Flash In-System Programmable (ISP)  
Peripherals for 8-bit MCUs, 5V  
PRELIMINARY DATA  
FEATURES SUMMARY  
■
FLASH IN-SYSTEM PROGRAMMABLE (ISP)  
Figure 1. Packages  
PERIPHERAL FOR 8-BIT MCUS  
■
DUAL BANK FLASH MEMORIES  
–
–
–
UP TO 2 Mbit OF PRIMARY FLASH  
MEMORY (8 Uniform Sectors, 32K x8)  
UP TO 256 Kbit SECONDARY FLASH  
MEMORY (4 Uniform Sectors)  
Concurrent operation: READ from one  
memory while erasing and writing the  
other  
PQFP52 (M)  
■
■
■
■
UP TO 256 Kbit BATTERY-BACKED SRAM  
27 RECONFIGURABLE I/O PORTS  
ENHANCED JTAG SERIAL PORT  
PLD WITH MACROCELLS  
–
–
–
Over 3000 Gates of PLD: CPLD and  
DPLD  
CPLD with 16 Output Macrocells (OMCs)  
and 24 Input Macrocells (IMCs)  
DPLD - user defined internal chip select  
decoding  
PLCC52 (J)  
■
27 INDIVIDUALLY CONFIGURABLE I/O  
PORT PINS  
The can be used for the following functions:  
–
–
–
–
–
MCU I/Os  
PLD I/Os  
Latched MCU address output  
Special function I/Os.  
16 of the I/O ports may be configured as  
open-drain outputs.  
TQFP64 (U)  
■
IN-SYSTEM PROGRAMMING (ISP) WITH  
JTAG  
–
–
–
Built-in JTAG compliant serial port allows  
full-chip In-System Programmability  
Efficient manufacturing allow easy  
product testing and programming  
■
HIGH ENDURANCE:  
–
100,000 Erase/WRITE Cycles of Flash  
Memory  
Use low cost FlashLINK cable with PC  
■
■
PAGE REGISTER  
–
–
–
1,000 Erase/WRITE Cycles of PLD  
15 Year Data Retention  
Internal page register that can be used to  
expand the microcontroller address space  
by a factor of 256  
■
■
5V±10% SINGLE SUPPLY VOLTAGE  
STANDBY CURRENT AS LOW AS 50µA  
PROGRAMMABLE POWER MANAGEMENT  
June 2004  
1/110  
This is preliminary information on a new product now in development or undergoing evaluation. Details are subject to change without notice.  
 
 
1234567...110

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与M29F200BB70M6相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M29F200BB70M6E NUMONYX

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 		128KX16 FLASH 5V PROM, 70ns, PDSO44, 0.525 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, SOP-44
M29F200BB70M6F NUMONYX

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 		Flash, 128KX16, 70ns, PDSO44, 0.525 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, SOP-44
M29F200BB70M6T STMICROELECTRONICS

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 		2 Mbit 256Kb x8 or 128Kb x16, Boot Block Single Supply Flash Memory
M29F200BB70MT1 NUMONYX

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 		Flash, 128KX16, 70ns, PDSO44, 0.500 INCH, PLASTIC, SO-44
M29F200BB70MT1E NUMONYX

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 		128KX16 FLASH 5V PROM, 70ns, PDSO44, 0.500 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, SO-44
M29F200BB70MT1T NUMONYX

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 		Flash, 128KX16, 70ns, PDSO44, 0.500 INCH, PLASTIC, SO-44
M29F200BB70MT3 NUMONYX

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 		Flash, 128KX16, 70ns, PDSO44, 0.500 INCH, PLASTIC, SO-44
M29F200BB70MT3E NUMONYX

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 		128KX16 FLASH 5V PROM, 70ns, PDSO44, 0.500 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, SO-44
M29F200BB70MT3F NUMONYX

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 		128KX16 FLASH 5V PROM, 70ns, PDSO44, 0.500 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, SO-44
M29F200BB70MT3T NUMONYX

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 		128KX16 FLASH 5V PROM, 70ns, PDSO44, 0.500 INCH, PLASTIC, SO-44

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