5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SOIC | 包装说明： | 0.525 INCH, PLASTIC, SO-44 |
| 针数： | 44 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.51 |
| 风险等级： | 5.53 | Is Samacsys： | N |
| 最长访问时间： | 55 ns | 其他特性： | BOTTOM BOOT BLOCK |
| 备用内存宽度： | 8 | 启动块： | BOTTOM |
| 命令用户界面： | YES | 数据轮询： | YES |
| 耐久性： | 100000 Write/Erase Cycles | JESD-30 代码： | R-PDSO-G44 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 28.2 mm |
| 内存密度： | 2097152 bit | 内存集成电路类型： | FLASH |
| 内存宽度： | 16 | 功能数量： | 1 |
| 部门数/规模： | 1,2,1,3 | 端子数量： | 44 |
| 字数： | 131072 words | 字数代码： | 128000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 128KX16 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | SOP |
| 封装等效代码： | SOP44,.63 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 电源： | 5 V |
| 编程电压： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 就绪/忙碌： | YES | 座面最大高度： | 2.62 mm |
| 部门规模： | 16K,8K,32K,64K | 最大待机电流： | 0.0001 A |
| 子类别： | Flash Memories | 最大压摆率： | 0.02 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | AUTOMOTIVE |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 切换位： | YES |
| 类型： | NOR TYPE | 宽度： | 13.3 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| M29F200B-55M6R | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
2 Mbit 256Kb x8 or 128Kb x16, Boot Block Single Supply Flash Memory |
|
| M29F200B-55M6TR | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
2 Mbit 256Kb x8 or 128Kb x16, Boot Block Single Supply Flash Memory |
|
| M29F200B-55N1R | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
2 Mbit 256Kb x8 or 128Kb x16, Boot Block Single Supply Flash Memory |
|
| M29F200B-55N1TR | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
2 Mbit 256Kb x8 or 128Kb x16, Boot Block Single Supply Flash Memory |
|
| M29F200B-55N3R | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
2 Mbit 256Kb x8 or 128Kb x16, Boot Block Single Supply Flash Memory |
|
| M29F200B-55N3TR | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
2 Mbit 256Kb x8 or 128Kb x16, Boot Block Single Supply Flash Memory |
|
| M29F200B-55N6R | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
2 Mbit 256Kb x8 or 128Kb x16, Boot Block Single Supply Flash Memory |
|
| M29F200B-55N6TR | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
2 Mbit 256Kb x8 or 128Kb x16, Boot Block Single Supply Flash Memory |
|
| M29F200B-70M1R | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
2 Mbit 256Kb x8 or 128Kb x16, Boot Block Single Supply Flash Memory |
|
| M29F200B-70M1TR | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
2 Mbit 256Kb x8 or 128Kb x16, Boot Block Single Supply Flash Memory |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
