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M29F105B-100N6

更新时间: 2024-11-08 14:52:51
品牌 Logo 应用领域
恒忆 - NUMONYX 光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
32页 687K
描述
Flash, 64KX16, 100ns, PDSO40, 10 X 14 MM, PLASTIC, TSOP-40

M29F105B-100N6 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TSOP包装说明:10 X 14 MM, PLASTIC, TSOP-40
针数:40Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.51
风险等级:5.58最长访问时间:100 ns
启动块:BOTTOMJESD-30 代码:R-PDSO-G40
JESD-609代码:e0长度:12.4 mm
内存密度:1048576 bit内存集成电路类型:FLASH
内存宽度:16功能数量:1
端子数量:40字数:65536 words
字数代码:64000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:64KX16封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP1封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行:PARALLEL
编程电压:5 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.2 mm最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子节距:0.5 mm
端子位置:DUAL类型:NOR TYPE
宽度:10 mmBase Number Matches:1

M29F105B-100N6 数据手册

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