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M29F100B-120N3R

更新时间： 2024-11-04 05:23:39
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 闪存存储内存集成电路光电二极管
页数 文件大小 规格书
30页 210K
描述
1 Mbit 128Kb x8 or 64Kb x16, Boot Block Single Supply Flash Memory

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M29F100B-120N3R 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP包装说明：12 X 20 MM, PLASTIC, REVERSE, TSOP-48
针数：48Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.77Is Samacsys：N
最长访问时间：120 ns其他特性：CONFG AS 64K X 16; BOTTOM BOOT BLOCK
备用内存宽度：8启动块：BOTTOM
命令用户界面：YES数据轮询：YES
JESD-30 代码：R-PDSO-G48JESD-609代码：e0
长度：18.4 mm内存密度：1048576 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：16
功能数量：1部门数/规模：1,2,1,1
端子数量：48字数：65536 words
字数代码：64000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
组织：64KX16输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP1-R
封装等效代码：TSSOP48,.8,20封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：5 V
编程电压：5 V认证状态：Not Qualified
就绪/忙碌：YES反向引出线：YES
座面最大高度：1.2 mm部门规模：16K,8K,32K,64K
最大待机电流：0.0001 A子类别：Flash Memories
最大压摆率：0.06 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：AUTOMOTIVE端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子节距：0.5 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
切换位：YES类型：NOR TYPE
宽度：12 mmBase Number Matches：1

M29F100B-120N3R 数据手册

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M29F100T  
M29F100B  
1 Mbit (128Kb x8 or 64Kb x16, Boot Block)  
Single Supply Flash Memory  
5V ± 10% SUPPLYVOLTAGEfor PROGRAM,  
ERASE and READ OPERATIONS  
FASTACCESS TIME: 70ns  
FAST PROGRAMMING TIME  
– 10 s by Byte / 16 s by Word typical  
µ
µ
44  
PROGRAM/ERASE CONTROLLER (P/E.C.)  
– Program Byte-by-Byte or Word-by-Word  
– Status Register bits and Ready/Busy Output  
MEMORY BLOCKS  
– Boot Block (Top or Bottom location)  
– Parameterand Main blocks  
1
TSOP48 (N)  
12 x 20 mm  
SO44 (M)  
BLOCK, MULTI-BLOCK and CHIP ERASE  
MULTI-BLOCKPROTECTION/TEMPORARY  
UNPROTECTION MODES  
ERASE SUSPEND and RESUME MODES  
– Read and Program another Block during  
Erase Suspend  
Figure 1. Logic Diagram  
LOW POWER CONSUMPTION  
– Stand-byand AutomaticStand-by  
100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per  
BLOCK  
20 YEARSDATARETENTION  
– Defectivity below 1ppm/year  
ELECTRONIC SIGNATURE  
V
CC  
16  
15  
– ManufacturerCode: 0020h  
– Device Code, M29F100T: 00D0h  
– Device Code, M29F100B: 00D1h  
A0-A15  
DQ0-DQ14  
W
E
DQ15A–1  
BYTE  
RB  
M29F100T  
M29F100B  
DESCRIPTION  
The M29F100 is a non-volatile memory that may  
be erased electrically at the block or chiplevel and  
programmedin-systemona Byte-by-Byteor Word-  
by-Word basis using only a single 5V VCC supply.  
For Program and Erase operations the necessary  
high voltages are generatedinternally. The device  
can also be programmed in standard program-  
mers.  
G
RP  
V
The array matrix organisationallows each block to  
be erased and reprogrammed without affecting  
other blocks. Blocks can be protectedagainst pro-  
graming and erase on programming equipment,  
and temporarily unprotected to make changes in  
the application. Each block can be programmed  
and erased over 100,000 cycles.  
SS  
AI01974  
July 1998  
1/30  
1234567...30

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M29F100B-120N3RTR STMICROELECTRONICS

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 		1 Mbit 128Kb x8 or 64Kb x16, Boot Block Single Supply Flash Memory
M29F100B-120N3TR STMICROELECTRONICS

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 		1 Mbit 128Kb x8 or 64Kb x16, Boot Block Single Supply Flash Memory
M29F100-B120N6R STMICROELECTRONICS

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 		1 Mbit 128Kb x8 or 64Kb x16, Boot Block Single Supply Flash Memory
M29F100B-120N6R STMICROELECTRONICS

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M29F100-B120N6TR STMICROELECTRONICS

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