5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 存储 > 闪存> M29F100B-120M6TR
M29F100B-120M6TR PDF预览

M29F100B-120M6TR

更新时间： 2024-11-04 05:23:39
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 闪存存储内存集成电路光电二极管
页数 文件大小 规格书
30页 210K
描述
1 Mbit 128Kb x8 or 64Kb x16, Boot Block Single Supply Flash Memory

阅读下载

中文翻译

获取价格

M29F100B-120M6TR 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOIC包装说明：0.525 INCH, PLASTIC, SO-44
针数：44Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.77最长访问时间：120 ns
其他特性：CONFG AS 64K X 16; BOTTOM BOOT BLOCK备用内存宽度：8
启动块：BOTTOM命令用户界面：YES
数据轮询：YESJESD-30 代码：R-PDSO-G44
JESD-609代码：e0长度：28.2 mm
内存密度：1048576 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：16功能数量：1
部门数/规模：1,2,1,1端子数量：44
字数：65536 words字数代码：64000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：64KX16
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOP封装等效代码：SOP44,.63
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：5 V编程电压：5 V
认证状态：Not Qualified就绪/忙碌：YES
座面最大高度：2.62 mm部门规模：16K,8K,32K,64K
最大待机电流：0.0001 A子类别：Flash Memories
最大压摆率：0.02 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
切换位：YES类型：NOR TYPE
宽度：13.3 mmBase Number Matches：1

M29F100B-120M6TR 数据手册

 浏览型号M29F100B-120M6TR的Datasheet PDF文件第2页浏览型号M29F100B-120M6TR的Datasheet PDF文件第3页浏览型号M29F100B-120M6TR的Datasheet PDF文件第4页浏览型号M29F100B-120M6TR的Datasheet PDF文件第5页浏览型号M29F100B-120M6TR的Datasheet PDF文件第6页浏览型号M29F100B-120M6TR的Datasheet PDF文件第7页 
M29F100T  
M29F100B  
1 Mbit (128Kb x8 or 64Kb x16, Boot Block)  
Single Supply Flash Memory  
5V ± 10% SUPPLYVOLTAGEfor PROGRAM,  
ERASE and READ OPERATIONS  
FASTACCESS TIME: 70ns  
FAST PROGRAMMING TIME  
– 10 s by Byte / 16 s by Word typical  
µ
µ
44  
PROGRAM/ERASE CONTROLLER (P/E.C.)  
– Program Byte-by-Byte or Word-by-Word  
– Status Register bits and Ready/Busy Output  
MEMORY BLOCKS  
– Boot Block (Top or Bottom location)  
– Parameterand Main blocks  
1
TSOP48 (N)  
12 x 20 mm  
SO44 (M)  
BLOCK, MULTI-BLOCK and CHIP ERASE  
MULTI-BLOCKPROTECTION/TEMPORARY  
UNPROTECTION MODES  
ERASE SUSPEND and RESUME MODES  
– Read and Program another Block during  
Erase Suspend  
Figure 1. Logic Diagram  
LOW POWER CONSUMPTION  
– Stand-byand AutomaticStand-by  
100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per  
BLOCK  
20 YEARSDATARETENTION  
– Defectivity below 1ppm/year  
ELECTRONIC SIGNATURE  
V
CC  
16  
15  
– ManufacturerCode: 0020h  
– Device Code, M29F100T: 00D0h  
– Device Code, M29F100B: 00D1h  
A0-A15  
DQ0-DQ14  
W
E
DQ15A–1  
BYTE  
RB  
M29F100T  
M29F100B  
DESCRIPTION  
The M29F100 is a non-volatile memory that may  
be erased electrically at the block or chiplevel and  
programmedin-systemona Byte-by-Byteor Word-  
by-Word basis using only a single 5V VCC supply.  
For Program and Erase operations the necessary  
high voltages are generatedinternally. The device  
can also be programmed in standard program-  
mers.  
G
RP  
V
The array matrix organisationallows each block to  
be erased and reprogrammed without affecting  
other blocks. Blocks can be protectedagainst pro-  
graming and erase on programming equipment,  
and temporarily unprotected to make changes in  
the application. Each block can be programmed  
and erased over 100,000 cycles.  
SS  
AI01974  
July 1998  
1/30  
1234567...30

中文翻译

下载PDF

与M29F100B-120M6TR相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M29F100-B120N1R STMICROELECTRONICS

获取价格

 		1 Mbit 128Kb x8 or 64Kb x16, Boot Block Single Supply Flash Memory
M29F100B-120N1R STMICROELECTRONICS

获取价格

 		1 Mbit 128Kb x8 or 64Kb x16, Boot Block Single Supply Flash Memory
M29F100B-120N1RTR STMICROELECTRONICS

获取价格

 		64KX16 FLASH 5V PROM, 120ns, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, REVERSE, TSOP-48
M29F100-B120N1TR STMICROELECTRONICS

获取价格

 		1 Mbit 128Kb x8 or 64Kb x16, Boot Block Single Supply Flash Memory
M29F100B-120N1TR STMICROELECTRONICS

获取价格

 		1 Mbit 128Kb x8 or 64Kb x16, Boot Block Single Supply Flash Memory
M29F100-B120N3R STMICROELECTRONICS

获取价格

 		1 Mbit 128Kb x8 or 64Kb x16, Boot Block Single Supply Flash Memory
M29F100B-120N3R STMICROELECTRONICS

获取价格

 		1 Mbit 128Kb x8 or 64Kb x16, Boot Block Single Supply Flash Memory
M29F100B-120N3RTR STMICROELECTRONICS

获取价格

 		暂无描述
M29F100-B120N3TR STMICROELECTRONICS

获取价格

 		1 Mbit 128Kb x8 or 64Kb x16, Boot Block Single Supply Flash Memory
M29F100B-120N3TR STMICROELECTRONICS

获取价格

 		1 Mbit 128Kb x8 or 64Kb x16, Boot Block Single Supply Flash Memory

与M29F100B-120M6TR相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证