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M29F080D70N1T

更新时间： 2024-11-03 22:34:07
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS /
页数 文件大小 规格书
36页 252K
描述
8 Mbit (1Mb x8, Uniform Block) 5V Supply Flash Memory

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M29F080D70N1T 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
零件包装代码：TSOP包装说明：10 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-40
针数：40Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.36最长访问时间：70 ns
JESD-30 代码：R-PDSO-G40JESD-609代码：e0
长度：18.4 mm内存密度：8388608 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：8
功能数量：1端子数量：40
字数：1048576 words字数代码：1000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：1MX8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP1
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：240
编程电压：5 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.2 mm最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：TIN LEAD
端子形式：GULL WING端子节距：0.5 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
类型：NOR TYPE宽度：10 mm

M29F080D70N1T 数据手册

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M29F080D  
8 Mbit (1Mb x8, Uniform Block)  
5V Supply Flash Memory  
PRELIMINARY DATA  
FEATURES SUMMARY  
■ SUPPLY VOLTAGE  
Figure 1. Packages  
– V = 5V ±10% for PROGRAM, ERASE and  
CC  
READ OPERATIONS  
■ ACCESS TIME: 55, 70, 90ns  
■ PROGRAMMING TIME  
– 10µs per Byte typical  
■ 16 UNIFORM 64Kbyte MEMORY BLOCKS  
■ PROGRAM/ERASE CONTROLLER  
– Embedded Byte Program algorithms  
■ ERASE SUSPEND and RESUME MODES  
TSOP40 (N)  
10 x 20mm  
– Read and Program another Block during  
Erase Suspend  
■ UNLOCK BYPASS PROGRAM COMMAND  
– Faster Production/Batch Programming  
■ TEMPORARY BLOCK UNPROTECTION  
MODE  
SO44 (M)  
■ COMMON FLASH INTERFACE  
– 64 bit Security Code  
■ LOW POWER CONSUMPTION  
– Standby and Automatic Standby  
■ 100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per  
BLOCK  
■ ELECTRONIC SIGNATURE  
– Manufacturer Code: 20h  
– Device Code: F1h  
April 2002  
1/36  
This is preliminary information on a new product now in development or undergoing evaluation. Details are subject to change without notice.  
1234567...36

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与M29F080D70N1T相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M29F080D70N6E STMICROELECTRONICS

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 		8 Mbit (1Mb x8, Uniform Block) 5V Supply Flash Memory
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