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M29F080D70N1E

更新时间： 2024-09-20 05:01:03
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 闪存存储内存集成电路光电二极管
页数 文件大小 规格书
37页 606K
描述
8 Mbit (1Mb x8, Uniform Block) 5V Supply Flash Memory

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M29F080D70N1E 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
零件包装代码：TSOP包装说明：10 X 20 MM, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP-40
针数：40Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.24Is Samacsys：N
最长访问时间：70 nsJESD-30 代码：R-PDSO-G40
JESD-609代码：e3长度：18.4 mm
内存密度：8388608 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：8功能数量：1
端子数量：40字数：1048576 words
字数代码：1000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：1MX8封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP1封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：260编程电压：5 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子节距：0.5 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40类型：NOR TYPE
宽度：10 mmBase Number Matches：1

M29F080D70N1E 数据手册

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M29F080D  
8 Mbit (1Mb x8, Uniform Block)  
5V Supply Flash Memory  
FEATURES SUMMARY  
■ SUPPLY VOLTAGE  
Figure 1. Packages  
– VCC = 5V ±10% for PROGRAM, ERASE and  
READ OPERATIONS  
■ ACCESS TIME: 55, 70, 90ns  
■ PROGRAMMING TIME  
– 10µs per Byte typical  
■ 16 UNIFORM 64Kbyte MEMORY BLOCKS  
■ PROGRAM/ERASE CONTROLLER  
– Embedded Byte Program algorithms  
■ ERASE SUSPEND and RESUME MODES  
TSOP40 (N)  
10 x 20mm  
– Read and Program another Block during  
Erase Suspend  
■ UNLOCK BYPASS PROGRAM COMMAND  
– Faster Production/Batch Programming  
■ TEMPORARY BLOCK UNPROTECTION  
MODE  
SO44 (M)  
■ COMMON FLASH INTERFACE  
– 64 bit Security Code  
■ LOW POWER CONSUMPTION  
– Standby and Automatic Standby  
■ 100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per  
BLOCK  
■ ELECTRONIC SIGNATURE  
– Manufacturer Code: 20h  
– Device Code: F1h  
■ ECOPACK® PACKAGES AVAILABLE  
September 2005  
1/37  
1234567...37

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M29F080D70N1F STMICROELECTRONICS

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 		8 Mbit (1Mb x8, Uniform Block) 5V Supply Flash Memory
M29F080D70N1T STMICROELECTRONICS

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M29F080D70N6E STMICROELECTRONICS

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